一、碳纳米管膜的制备方法
申请号：CN200910107590.7
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 姜开利 | 陈卓 | 翟永超 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面形成一具有两个相互平行的边的催化剂层；将形成有所述催化剂层的基底在高温空气中退火；将退火后的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到700℃至1000℃，然后通入碳源气反应一段时间，生长得到一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列有两个基本平行的侧面，该两个侧面与所述催化剂层的两个相互平行的边对应；以及从所述碳纳米管阵列中沿与所述两个侧面平行的方向拉取碳纳米管，获得一碳纳米管膜。由该方法可制备出具有一相同宽度的碳纳米管膜，适合于工业化生产及应用，而且方法简单，成本较低。
二、碳纳米管线状结构的制备方法
申请号：CN200910189915.0
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管线状结构的制备方法，其包括以下步骤：提供多个基底，每一基底均具有一生长有碳纳米管阵列的生长表面，所述多个基底的生长表面处于不同的平面；沿与每一基底的生长表面成0°至50°的拉膜角度拉取碳纳米管阵列以获得多个碳纳米管膜；提供一基准位置，在该基准位置合并所述多个碳纳米管膜，以形成一个碳纳米管线状结构。
三、碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法
申请号：CN200910109335.6
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 姜开利 | 陈卓 | 翟永超 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；处理所述碳纳米管阵列，在碳纳米管阵列表面形成至少两个相互平行且间隔设置的凹槽，凹槽处碳纳米管阵列中碳纳米管的高度基本上小于等于100微米；采用一拉伸工具选定位于多个凹槽之间的碳纳米管阵列中的多个碳纳米管；采用该拉伸工具沿基本平行与凹槽长度的方向拉抽所述选定的多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿远离碳纳米管阵列的方向首尾相连地被拉出形成多个碳纳米膜。本发明还包括一种由上述制备方法制备的碳纳米管膜，以及在制备过程中得到的碳纳米管膜先驱。
四、碳纳米管膜的制备方法
申请号：CN200910107112.6
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长于一基底表面，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管；提供一拉伸工具，该拉伸工具包括一具有粘性的粘结面，且该粘结面具有一呈直线的边，采用该拉伸工具靠近碳纳米管阵列，使该拉伸工具上的粘结面中呈直线的边邻近基底并使该粘结面与所述碳纳米管阵列相粘结；以及以一定速度沿远离该生长基底的方向移动该拉伸工具，从而从碳纳米管阵列中与拉伸工具粘结面呈直线的边粘结的部分处开始拉取获得一连续的碳纳米管膜。本发明的制备方法可获得一连续的碳纳米管膜。
五、一种碳纳米管膜前驱、碳纳米管膜及其制造方法以及具有该碳纳米管膜的发光器件
申请号：CN200910106938.0
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 孙颖慧 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种制造碳纳米管膜的方法，其包括：提供一个形成于一基底上且包括多个大致沿其同一个生长方向排列的碳纳米管的碳纳米管阵列以及一个抽取装置；使所述抽取装置靠近所述碳纳米管阵列以选定多个碳纳米管；用所述抽取装置沿远离碳纳米管阵列拉该多个碳纳米管以获取一碳纳米管膜，其中该抽取装置的抽取方向与碳纳米管的生长方向之间的锐角的角度小于等于80度。本发明还包括一种该制备方法所制备的碳纳米管膜，制备过程中所得到的碳纳米管膜前驱以及具有该碳纳米管膜的发光器件。
六、碳纳米管膜
申请号：CN200810217818.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 冯辰 | 肖林 | 陈卓 | 刘亮 | 范守善 | 李群庆 | 潜力 | 刘锴 | 魏洋
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜，其中，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线并排且间隔设置，且相邻的碳纳米管线之间包括至少一个碳纳米管，该多个碳纳米管线之间的距离受力后发生变化。
七、碳纳米管膜的拉伸方法
申请号：CN200810217814.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 冯辰 | 肖林 | 陈卓 | 刘亮 | 范守善 | 李群庆 | 潜力 | 刘锴 | 魏洋
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的拉伸方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜及至少一弹性支撑体；将所述至少一碳纳米管膜至少部分固定设置于该至少一弹性支撑体；以及拉伸该弹性支撑体。
八、碳纳米管绞线及其制备方法
申请号：CN200910109047.0
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 周睿风 | 孙颖慧 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管绞线的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管，该多个碳纳米管的轴向基本沿同一方向延伸；沿碳纳米管的轴向施加两个相反外力作用于该至少一碳纳米管膜，使该至少一碳纳米管膜中至少部分的碳纳米管在该外力拉力的作用下沿碳纳米管轴向绷直；以及扭转该至少一碳纳米管膜，获得一碳纳米管绞线。本发明还涉及一碳纳米管绞线。
九、碳纳米管膜保护结构及其制备方法
申请号：CN200910108048.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜保护结构，包括：至少一碳纳米管膜；一基础膜；以及一保护膜，该至少一碳纳米管膜设置于该基础膜及该保护膜之间，该保护膜包括一隔离层，该隔离层与该碳纳米管膜接触。本发明还涉及一种碳纳米管膜保护结构的制备方法。
十、铺膜系统及使用该铺膜系统的铺膜方法
申请号：CN200910239665.7
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 刘亮 | 潜力
摘要：本发明涉及一种铺膜系统，该铺膜系统包括：一供给装置、一铺膜装置、以及一切割装置。所述供给装置用于供给连续的碳纳米管膜。所述铺膜装置用于铺设所述碳纳米管膜，该铺膜装置包括一旋转轴及一旋转体，该旋转体围绕所述旋转轴旋转，所述旋转体与所述旋转轴相对的表面为承载面，该承载面用于放置待铺膜物体。所述切割装置用于切断所述碳纳米管膜。本发明还涉及一种使用上述铺膜系统的铺膜方法。本发明提供的铺膜系统及铺膜方法可以实现连续地、均匀地铺设碳纳米管膜，提高了铺设碳纳米管膜的效率及质量。
十一、碳纳米管结构及其制备方法
申请号：CN201010259929.8
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管结构，其中，该碳纳米管结构是由多个碳纳米管组成的一个管状结构，该碳纳米管结构中相邻的碳纳米管通过范德华力紧密相连。该碳纳米管结构为一柔性的空心管，具有良好的机械性能和韧性，能方便地应用于宏观的多个领域。另外，本发明还涉及一种碳纳米管结构的制备方法。
十二、碳纳米管纸的制备方法
申请号：CN201110433695.9
专利类型：授权发明
发明人：张凌 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种碳纳米管纸的制备方法，包括以下步骤：提供至少一滚轴和至少一压力提供装置，该至少一压力提供装置对应所述至少一滚轴设置一挤压面，该挤压面平行于所述至少一滚轴的轴线；提供至少一碳纳米管阵列，从所述至少一碳纳米管阵列中拉取获得至少一碳纳米管膜结构，并将该至少一碳纳米管膜结构固定于所述至少一滚轴上；滚动所述至少一滚轴，将所述至少一碳纳米管膜结构卷绕在所述至少一滚轴上，所述至少一滚轴滚动过程中所述至少一压力提供装置的挤压面挤压卷绕在所述至少一滚轴上的碳纳米管膜结构；以及滚动所述至少一滚轴至所述卷绕在至少一滚轴上的碳纳米管膜结构达到一定厚度时停止滚动，得到一碳纳米管纸。
十三、碳纳米管制备方法
申请号：CN200510037474.4
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面沉积有一催化剂层；将所述基底置于一石英舟内，该石英舟具有一开口；将所述石英舟置于一反应炉内，该反应炉包括一进气口，使所述石英舟的开口朝向该进气口；加热使反应炉的温度达到一预定温度，并通入反应气体利用化学气相沉积法在基底上生长碳纳米管，生长的碳纳米管根部与催化剂接触；待生长结束后，通过一导气装置引入载气气体到所述石英舟内，以降低该石英舟内的碳源气浓度，从而使碳纳米管停止生长；在外力作用下分离碳纳米管与催化剂层，使碳纳米管与形成在基底表面的催化剂层分离，从而得到开口碳纳米管或其阵列。
十四、单壁碳纳米管的生长方法
申请号：CN200610061618.4
专利类型：授权发明
发明人：郑直 | 姚湲 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法，主要包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一氧化铟锡电极，氧化铟锡电极的厚度为5纳米～100纳米；在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层，铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米；在铝过渡层上沉积一催化剂层，催化剂层的厚度为3纳米～10纳米；将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中，在300℃～500℃下热处理10分钟～12小时，催化剂层经退火后形成氧化颗粒；将基底放置在反应装置中，在反应装置内通入保护气体，在保护气体的保护下加热至640℃～900℃；以及通入碳源气与保护气体的混合气体，加热至640℃～900℃反应30分钟～60分钟生长出单壁碳纳米管。
十五、碳纳米管阵列与基底结合力的测量方法
申请号：CN200610062428.4
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列与基底结合力的测量方法，其测量的碳纳米管阵列中碳纳米管间具有一定的间隙，该测量方法包括：提供一毫牛测力计，该测力计具有一个测力臂，该测力臂的末端固定一测力探针，该测力探针具有平整的测力端面；在测力探针的测力端面上涂覆一层粘性胶；以及将涂覆有粘性胶的测力端面逐渐靠近待测的碳纳米管阵列的表面并紧密接触，然后将测力探针逐渐拔离碳纳米管阵列表面，测力探针的测力端面将粘附一定数量的碳纳米管，通过测力计显示的力的数值以及拔出的碳纳米管的数量即可以得出碳纳米管阵列与其附着的基底的结合力大小。
十六、碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN200610157701.1
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 陈卓 | 罗春香 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一含碳的催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面；以及，以激光束聚焦照射在上述基底表面以生长碳纳米管阵列。
十七、碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN200610157866.9
专利类型：授权发明
发明人：陈卓 | 罗春香 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。
十八、碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN200610064580.6
专利类型：授权发明
发明人：陈卓 | 罗春香 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及将激光束通过一振镜扫描系统聚焦照射在上述基底上从而生长碳纳米管阵列。
十九、碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN200610157768.5
专利类型：授权发明
发明人：陈卓 | 罗春香 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及提供一半导体激光器系统发出激光束聚焦照射在上述基底上从而生长碳纳米管阵列。
二十、碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN200610157696.4
专利类型：授权发明
发明人：陈卓 | 魏洋 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一光吸收层于上述基底表面；形成一催化剂层于上述光吸收层上；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面；以及，以激光束聚焦照射在上述基底表面从而生长碳纳米管阵列。
二十一、碳纳米管生长装置
申请号：CN200710077112.7
专利类型：授权发明
发明人：罗春香 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管生长装置，该碳纳米管生长装置包括一激光照射装置及一工作台；其中，上述的碳纳米管生长装置进一步包括一观测装置和一光照明装置。该观测装置包括一观测筒、一设置于观测筒顶端的观测窗、一呈45°设置于观测筒内第一半反射半透镜及一呈45°设置于观测筒内的第二半反射半透镜。该光照明装置、激光照射装置垂直观测装置设置，第一半反射半透镜与激光照射装置对应设置，第二半反射半透镜与光照明装置对应设置。工作台设置于观测装置中的观测筒底部且与观测筒底部间隔一定距离设置，观测装置、激光照射装置与光照明装置三者是光学共轭的。
二十二、一种高密度碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN200710075316.7
专利类型：授权发明
发明人：王鼎 | 宋鹏程 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种高密度碳纳米管阵列制备方法，该方法包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列；提供一高弹性薄膜；均匀拉伸上述的高弹性薄膜后，附着在上述碳纳米管阵列上，同时对该高弹性薄膜均匀地施加压力；保持压力并收缩高弹性薄膜，撤去压力后，分离碳纳米管阵列与高弹性薄膜，从而得到高密度碳纳米管阵列。该制备方法简单易行，所制备的碳纳米管阵列密度高且均匀地定向排列。
二十三、高密度碳纳米管阵列及其制备方法
申请号：CN200710076392.X
专利类型：授权发明
发明人：罗春香 | 张晓波 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种高密度碳纳米管阵列，该高密度碳纳米管阵列中的碳纳米管排列紧密，且定向排列，具有类一维单晶结构，密度为0.1～2.2g/cm³。本发明还涉及一种制备高密度碳纳米管阵列的方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；沿着平行于基底的方向，施加压力挤压上述碳纳米管阵列，从而得到高密度碳纳米管阵列，该制备方法工序简单，易于实际应用、效率较高且制备的碳纳米管阵列的密度可以控制。
二十四、碳纳米管复合材料预制件及其制备方法
申请号：CN200710076745.6
专利类型：授权发明
发明人：LIU CHANGHONG | JIANG KAILI | ZHANG CHANGSHENG | GUO HAIZHOU | DAI FENGWEI | YAO YUAN
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合材料预制件及其制备方法，该碳纳米管复合材料预制件包括一基片及一碳纳米管阵列形成于该基片，其中，该碳纳米管阵列远离基片的一端碳纳米管之间的间隙大于靠近基片的一端碳纳米管之间的间隙。该碳纳米管复合材料预制件的制备方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基片；将上述形成有碳纳米管阵列的基片置于一溶剂中一段时间；将上述基片取出后烘干处理，形成碳纳米管复合材料预制件。本发明所提供的碳纳米管复合材料预制件中碳纳米管之间具有较大的间隙，且制备方法工艺简单、成本低、周期短、易于实现。
二十五、碳纳米管阵列及用碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法
申请号：CN200910239663.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列表面具有一分割线，该分割线将所述碳纳米管阵列分割成至少一个连续的碳纳米管带状结构。该碳纳米管带状结构的最大长度大于所述碳纳米管阵列的最大宽度，所述碳纳米管阵列的最大宽度为碳纳米管阵列中距离最大的两个点之间的距离。本发明还涉及一种利用所述碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法。
二十六、一种半导体碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN201010201344.0
专利类型：授权发明
发明人：王雪深 | 李群庆 | 范守善
摘要：本发明提供一种半导体碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面涂布一层催化剂前驱体；将涂布有催化剂前驱体的基底置于石英管中，然后将石英管置于反应炉内，加热所述基底至第一温度并保持一定时间；继续加热所述基底至第二温度并保持一定时间后，向所述反应炉内通入保护气体以排除反应炉内的空气；在保护气体下，引入还原气体并保持一定时间；向反应炉内通入载气气体与碳源气体的混合气并继续加热，在所述基底表面生长半导体碳纳米管阵列。
二十七、一种生产碳纳米管的方法
申请号：CN02152109.3
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 刘亮 | 姜开利
摘要：本发明提供了一种生产碳纳米管的方法，此方法包括：(1)提供一基底；(2)在基底上沉积4～10nm厚的催化剂，然后在温度300℃～500℃下，并对催化剂进行8～12小时的退火处理，使其收缩为分立的纳米级颗粒；(3)在预定温度下，使催化剂与碳源气接触一定时间使得特定长度的碳纳米管阵列基本垂直于基底长出；(4)将所得的碳纳米管从基底取下。与现有技术相比本发明利用化学气相沉积方法，以碳纳米管阵列的方式实现了制备长度一致，长度可控，无纠结容易分散的碳纳米管。
二十八、一种生长碳纳米管的方法
申请号：CN03114036.X
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种生长碳纳米管的方法，其包括步骤：a)选取金属基底，b)提供碳源气体，c)将所述金属基底表面氧化形成一氧化层，d)在氧化层上形成催化剂层，e)通入碳源气体，以CVD法生长碳纳米管，同时产生氢气将所述氧化层还原。本发明方法在金属基底表面形成氧化层，可避免金属基底对催化剂的不良影响，生长完成后将氧化层还原为金属，从而实现金属基底上生长碳纳米管之目的。
二十九、一种碳纳米管阵列结构及其制备方法
申请号：CN02152193.X
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明揭示一种碳纳米管阵列结构，其包括一基底、形成于基底上的催化剂层、以及从催化剂层上长出的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列具有向一方向弯曲的特性。本发明提供的碳纳米管阵列具有向一预定的方向弯曲，丰富碳纳米管器件设计的多样性，为碳纳米管器件的设计提供更多的选择空间。本发明同时还揭示了一种制备上述碳纳米管阵列结构的方法。其步骤包括：(1)在基底的表面形成一催化剂层，该催化剂层的厚度均匀一致；(2)在催化剂层上沉积一层影响碳纳米管长生速度的材料；(3)在含氧气氛中退火，使催化剂层氧化成为纳米级催化剂颗粒；(4)通入碳源气，生长碳纳米管。
三十、一种碳纳米管阵列结构及其制备方法
申请号：CN03114057.2
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明公开了一种碳纳米管阵列结构，其包括一基底、形成于基底上的催化剂层、及在催化剂层上长出的碳纳米管阵列，其特征在于该催化剂层包括多个不同尺寸大小的纳米级催化剂颗粒，且该催化剂颗粒的尺寸大小沿一特定方向递减，该碳纳米管阵列向催化剂颗粒的尺寸递减的方向弯曲。本发明同时还揭露了一种制备上述碳纳米管阵列结构的方法。其步骤包括：(1)在基底的上表面上形成催化剂层，该催化剂层的厚度沿一特定方向递增；(2)在保护气氛下退火，使催化剂层收缩成为纳米级催化剂颗粒；(3)通入碳源气，利用热化学气相沉积在上述催化剂颗粒上生长碳纳米管。
三十一、碳纳米管阵列及其生长方法
申请号：CN02152047.X
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明提供一种在金属基底上生长碳纳米管阵列的方法，其包括以下步骤：提供一金属基底；在金属基底表面上沉积一层硅过渡层；将催化剂沉积于该硅层表面；通入碳源气反应，长出碳纳米管阵列。通过本发明的方法可实现在金属基底上生长碳纳米管阵列，而且对金属基底材料基本无选择性。本发明还提供一种生长在金属基底上的碳纳米管阵列。
三十二、一种碳纳米管阵列结构及其生长方法
申请号：CN02149726.5
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明揭示一种碳纳米管阵列结构，其包括一基底、形成于基底上的催化剂合金颗粒、以及从催化剂合金颗粒上长出的碳纳米管阵列，该催化剂合金颗粒含有影响碳纳米管生长速度的材料，该调节材料包含铜或钼，所生长的碳纳米管阵列具有向一特定方向弯曲的特性。本发明同时还揭示了一种生长上述碳纳米管阵列结构的方法。其步骤包括：(1)在基底的表面形成一催化剂层，该催化剂层的厚度均匀一致；(2)在催化剂层上沉积至少两种影响碳纳米管长生速度的调节材料，该调节材料包含铜或钼；(3)在含氧气氛中退火，使催化剂层氧化成为催化剂合金颗粒；(4)通入碳源气，生长碳纳米管。
三十三、碳纳米管阵列及其制备方法
申请号：CN201110093268.0
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列的制备方法，包括：提供一形成有催化剂层的基底，将该形成有催化剂层的基底置入一反应室中；提供至少两种碳源气，该至少两种碳源气中的碳元素分别由不同种类的单一碳同位素组成；以及将所述至少两种碳源气同时通入所述反应室中，控制所述催化剂层的温度使该催化剂层不同区域分别达到不同的反应温度，并使所述至少两种碳源气在催化剂层不同区域发生反应。本发明还涉及一种由所述碳纳米管阵列的制备方法制备的碳纳米管阵列。
三十四、碳纳米管阵列的制备方法
申请号：CN201110093310.9
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列的制备方法，包括：提供一形成有催化剂层的基底，并将该形成有催化剂层的基底置入一反应室中；提供至少两种碳源气，该至少两种碳源气中的碳元素分别由不同种类的单一同位素组成；以及将所述至少两种碳源气同时通入所述反应室中，通过控制反应温度，使所述至少两种碳源气在不同的温度下发生反应，形成所述碳纳米管阵列。该方法可以方便的获得多种组合的碳纳米管阵列。
三十五、一种大量制造均一长度碳纳米管的方法
申请号：CN200410027249.8
专利类型：授权发明
发明人：黄华 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种大量制造均一长度碳纳米管的方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；将碳纳米管阵列浸润于液相高分子体系；使液相高分子体系转化为固相，生成分布有碳纳米管的高分子复合材料；在碳纳米管阵列预定高度，沿垂直于碳纳米管阵列轴向切割该高分子复合材料，去除碳纳米管阵列顶端的高分子材料并使得碳纳米管尖端开口；按照预定厚度切割上述高分子复合材料，形成厚度均匀的高分子复合材料薄膜；去除高分子复合材料薄膜中的高分子材料，得到大量长度均一的碳纳米管。
三十六、碳纳米管阵列结构及其制备方法
申请号：CN200410051102.2
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及碳纳米管阵列结构及其制备方法。该碳纳米管阵列结构，包括一基底、形成于该基底一表面上的至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上的碳纳米管阵列，其特征在于该催化剂区块的厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄，自第一端部至第二端部的范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度，碳纳米管阵列从接近最佳厚度处向背离最佳厚度处的方向弯曲。本发明还揭露制备上述碳纳米管阵列结构的方法。该碳纳米管阵列结构及其制备方法可用于平面显示、纳米电子器件、大电流场发射电子枪等器件及其阴极制造工艺。
三十七、碳纳米管阵列制备装置及方法
申请号：CN200510036746.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 陈卓 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列制备装置，其包括：一反应腔；一局部加热装置，用以加热装载于该反应腔内的碳纳米管生长用催化剂；及一气态碳供给装置，用以在装载于该反应腔内的催化剂的上游位置向该反应腔提供一气态碳。本发明通过设置一局部加热装置及气态碳供给装置，可在反应腔的催化剂层位置处形成明显的温度梯度，及在反应腔内提供充足的碳源；其可实现碳纳米管阵列的快速生长，且可在基底上生长出单壁碳纳米管阵列。本发明还提供一碳纳米管阵列制备方法。
三十八、一种碳纳米管阵列处理方法
申请号：CN200410051806.X
专利类型：授权发明
发明人：柳鹏 | 盛雷梅 | 魏洋 | 刘亮 | 潜力 | 胡昭复 | 杜秉初 | 陈丕瑾 | 范守善
摘要：本发明涉及纳米材料，特别涉及一种碳纳米管阵列处理方法。本发明中，在基底上形成一碳纳米管阵列；通过预定图形的模压装置对所述碳纳米管阵列压印；取下模压装置，形成具有相应图形的碳纳米管阵列。该方法工艺简单、成本较低、有利于大批量生产。
三十九、一种碳纳米管阵列的生长方法
申请号：CN200510033699.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘锴 | 范守善
摘要：一种多壁碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面沉积有一第一催化剂层；将上述基底设置于一石英舟内；设置一第二催化剂粉末于石英舟内，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿气体流动方向基底位置的前方；将上述石英舟置于一反应炉内，该反应炉包括一进气口；加热使得反应炉达到一预定温度并通入碳源气以在基底表面生长得到多壁碳纳米管阵列。
四十、一种碳纳米管阵列的生长装置
申请号：CN200510033857.4
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列生长装置，其包括：一反应炉，该反应炉包括两进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内，其中该生长装置进一步包括一通气装置，该通气装置一端连接一进气口，另一端靠近石英舟。
四十一、一种碳纳米管阵列的生长方法
申请号：CN200510033948.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面形成有一催化剂层；将上述基底设置于一反应炉内；往反应炉内通入载气气体，并加热使得反应炉达到一预定温度；往反应炉内通入碳源气和氢气，该氢气通过一通气装置直接通入到基底附近；反应预定时间，在基底上生长得到碳纳米管阵列。
四十二、一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法
申请号：CN200510033733.6
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘锴 | 范守善
摘要：一种碳纳米管阵列生长装置，其包括一反应炉，该反应炉包括一进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内；一生长碳纳米管用的基底设置于石英舟内，该基底一表面形成有一第一催化剂层，其中石英舟内进一步包括一第二催化剂粉末，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿反应气体流动方向基底位置的前方。一种多壁碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面沉积有一第一催化剂层；将上述基底设置于一石英舟内；设置一第二催化剂粉末于石英舟内，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿气体流动方向基底位置的前方；将上述石英舟置于一反应炉内；加热达到预定温度并通入碳源气以在基底上生长多壁碳纳米管阵列。
四十三、碳纳米管阵列结构及其制备方法
申请号：CN200510034249.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘锴 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列结构及其制备方法。该碳纳米管阵列结构由相互平行的碳纳米管组成，其特征在于碳纳米管上形成有标记线。该碳纳米管阵列结构的制备方法包括下列步骤：提供一基底；在基底的一表面上形成一催化剂层；将基底加热至一定温度；间歇性供应碳源气，以生长碳纳米管。该方法生长的碳纳米管时，每一次中断碳源气的供应，都会在碳纳米管表面形成一标记线，此标记线可用作产品防伪标记，也可用于测量碳纳米管的生长速度等。
四十四、碳纳米管阵列结构的制备装置
申请号：CN200510034356.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘锴 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列结构的制备装置，其包括一反应腔，其特征在于该反应腔包括一第一气体入口，一第二气体入口，一气体出口，反应腔内设置一气体输送管及一用于承载生长碳纳米管用基底的承载元件，气体输送管一端连接第二气体入口，另一端通入该承载元件。
四十五、碳纳米管阵列制作方法
申请号：CN200510035986.7
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列制作方法，其包括以下步骤：提供一形成有遮挡层的基底；提供一催化剂蒸发源；沿一旋转轴旋转基底，在基底上形成具有厚度梯度的催化剂薄膜；去除遮挡层，在催化剂薄膜上定义出至少一催化剂区块，该催化剂区块的厚度由其一第一端部向一第二端部逐渐减薄，且在该第一端部至第二端部的范围内有一厚度最接近一最佳厚度；将催化剂区块处理成催化剂颗粒阵列；通入碳源气，利用CVD法生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离最佳厚度方向弯曲。本发明通过对催化剂薄膜沉积的控制，可实现碳纳米管阵列局部的多个方向生长。
四十六、碳纳米管阵列制作方法
申请号：CN200510036148.1
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，在该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层在基底上溅射出一具有厚度梯度的催化剂层，并且在所述厚度梯度范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，在上述处理后的催化剂层上生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离所述最佳厚度的方向弯曲生长。通过上述碳纳米管阵列制作方法可实现对碳纳米管阵列局部至少向一个方向弯曲生长的控制。
四十七、碳纳米管复合材料及其制备方法
申请号：CN200610060309.5
专利类型：授权发明
发明人：刘长洪 | 姚湲 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合材料，其包括：一聚合物材料以及分布于该聚合物材料中的多个碳纳米管，该聚合物材料形成有一第一表面及相对于第一表面的第二表面，所述多个碳纳米管基本相互平行且在该聚合物材料中均匀分布，每个碳纳米管的两端分别伸出所述聚合物材料的第一表面及第二表面。本发明还涉及一种碳纳米管复合材料的制备方法。
四十八、碳纳米管/聚合物复合材料
申请号：CN200610062510.7
专利类型：授权发明
发明人：宋鹏程 | 张丘岺 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管/聚合物复合材料，其包括至少一层聚合物材料层和至少一层碳纳米管/聚合物复合材料层。碳纳米管/聚合物复合材料层包括一个顶面和一个与顶面相对的底面，并且至少一个面与相邻聚合物材料层相接触。碳纳米管/聚合物复合材料层包括一聚合物材料及分布于该聚合物材料中的多个相互接触的碳纳米管。
四十九、碳纳米管/聚合物复合材料的制备方法
申请号：CN200610062034.9
专利类型：授权发明
发明人：张丘岑 | 宋鹏程 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管/聚合物复合材料的制备方法。该方法包括以下步骤：提供一碳纳米管基膜及一预聚合高分子溶液；将碳纳米管基膜放置于一容器底部，并将该预聚合高分子溶液倒入该容器内；使该预聚合高分子溶液发生聚合反应并与碳纳米管基膜进行复合，从而形成碳纳米管/聚合物复合材料。本发明碳纳米管/聚合物复合材料的导电性和导热性能良好，可作为电磁屏蔽材料、抗静电材料、热界面材料等。
五十、碳纳米管复合材料及其制造方法
申请号：CN200610062083.2
专利类型：授权发明
发明人：李庆威 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合材料及其制造方法。碳纳米管复合材料包括基体以及分布于该基体中的多个碳纳米管，该碳纳米管于基体中沿平行于基体表面的同一方向排列，沿排列方向上相邻碳纳米管的端部相接近或者相接触。碳纳米管复合材料的制造方法包括以下步骤：(一)在衬底表面制造条带状催化剂；(二)在催化剂上生长定向排列的碳纳米管；(三)将碳纳米管浸入基体材料，并加入固化剂；(四)在基体材料尚未完全固化时，用工具压倒碳纳米管，使得碳纳米管于基体中沿同一方向横向排列；(五)在基体材料完全固化后，将复合物从衬底上剥离，以形成碳纳米管复合材料。
五十一、碳纳米管薄片的制备方法
申请号：CN200710074026.0
专利类型：授权发明
发明人：王鼎 | 宋鹏程 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管薄片的制备方法，包括：将碳纳米管原料加入到含有金属离子的溶液中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构；添加还原剂于溶液中；以及将上述碳纳米管絮状结构从溶液中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄片。
五十二、碳纳米管复合薄膜及其制备方法
申请号：CN200710077025.1
专利类型：授权发明
发明人：刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合薄膜，该碳纳米管复合薄膜包括至少一碳纳米管层和至少一基体材料层。本发明还涉及一种碳纳米管复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；将一基体材料层覆盖在上述的碳纳米管阵列上以得到一覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列，以及挤压上述覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列，从而得到一碳纳米管复合薄膜。上述挤压覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列的过程是通过一施压装置进行的，因此其制备方法较为简单。且，该制备方法可控制碳纳米管复合薄膜中碳纳米管为各向同性或沿一个固定方向取向或不同方向取向排列。再有，制备的碳纳米管复合薄膜中碳纳米管分散均匀，使得该碳纳米管复合薄膜具有较好的机械强度和韧性。
五十三、高密度碳纳米管阵列复合材料的制备方法
申请号：CN200710075300.6
专利类型：授权发明
发明人：罗春香 | 刘亮 | 姜开利 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种高密度碳纳米管阵列复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列和一高分子前驱体溶液；将碳纳米管阵列和高分子前驱体溶液混合，形成一高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体；沿着平行于基底的方向挤压高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体，形成一高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体；聚合高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体中的高分子前驱体，从而形成高密度碳纳米管阵列复合材料。本发明的高密度碳纳米管阵列复合材料具有良好的导热性能，可广泛地应用于导热材料或复合材料等方面。
五十四、碳纳米管复合材料及其制备方法
申请号：CN200810065181.0
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 程群峰 | 王佳平 | 姜开利
摘要：一种碳纳米管复合材料，包括高分子基体和碳纳米管，其中该碳纳米管以碳纳米管薄膜结构的形式设置于高分子基体中。一种碳纳米管复合材料的制造方法，其包括以下步骤：制备一高分子基体；制备一碳纳米管薄膜；将至少一碳纳米管薄膜设置于高分子基体的至少一个表面形成一碳纳米管薄膜结构，从而形成一碳纳米管复合材料预制体；加热该碳纳米管复合材料预制体，使碳纳米管薄膜结构与高分子基体复合，从而得到一碳纳米管复合材料。
五十五、碳纳米管复合材料的制备方法
申请号：CN200710125109.8
专利类型：授权发明
发明人：王佳平 | 程群峰 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：制备一自支撑的碳纳米管薄膜结构；提供一液态热固性高分子材料；将所述液态热固性高分子材料浸润所述碳纳米管薄膜结构；固化上述被液态热固性高分子材料浸润的碳纳米管薄膜结构，得到一碳纳米管复合材料。
五十六、碳纳米管复合材料的制备方法
申请号：CN200710125411.3
专利类型：授权发明
发明人：王佳平 | 程群峰 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管复合材料的制备方法，其具体包括以下步骤：制备至少一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个相互平行的碳纳米管；提供至少一高分子薄膜，并将所述至少一碳纳米管薄膜设置于该高分子薄膜表面，使所述至少一碳纳米管薄膜中的多个相互平行的碳纳米管平行于高分子薄膜的表面，形成一碳纳米管薄膜结构，从而得到一碳纳米管复合材料预制体，所述高分子薄膜由热塑性高分子材料组成；对上述碳纳米管复合材料预制体进行预复合处理；对上述预复合后的至少一碳纳米管复合材料预制体进行热压成型处理，形成一碳纳米管复合材料。
五十七、碳纳米管/导电聚合物复合材料
申请号：CN200810067169.3
专利类型：授权发明
发明人：孟垂舟 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种碳纳米管/导电聚合物复合材料，其包括：多个碳纳米管。其中，所述碳纳米管/导电聚合物复合材料进一步包括多个导电聚合物纤维，所述多个碳纳米管相互连接形成一网络结构，所述多个导电聚合物纤维复合在所述碳纳米管的表面或/和附着在所述碳纳米管的管壁上。
五十八、碳纳米管复合膜的制备方法
申请号：CN200910002452.2
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合膜的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个平行于其表面的碳纳米管；以及形成导电材料附着于所述碳纳米管膜表面。
五十九、绞线
申请号：CN200910002443.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 刘锴 | 赵清宇 | 翟永超 | 范守善
摘要：本发明涉及一种绞线，包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，其中，该绞线进一步包括导电材料包覆于碳纳米管表面。
六十、碳纳米管复合膜
申请号：CN200910002460.7
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合膜，其包括：一自支撑的碳纳米管膜，该自支撑的碳纳米管膜包括多个碳纳米管；以及一导电材料，其中，该导电材料包覆于碳纳米管表面。
六十一、绞线的制备方法
申请号：CN200910002444.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 刘锴 | 赵清宇 | 翟永超 | 范守善
摘要：本发明涉及一种绞线的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管结构；形成导电材料附着于所述碳纳米管结构表面；以及扭转所述碳纳米管结构，形成一绞线。
六十二、碳纳米管复合材料及其制备方法
申请号：CN200810216587.4
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 姜开利 | 刘亮
摘要：一种碳纳米管复合材料，其包括：多个碳纳米管和多个纳米颗粒，其中，所述多个碳纳米管形成一碳纳米管结构，该纳米颗粒分布于该碳纳米管结构中，且所述的多个纳米颗粒通过范德华力附着在碳纳米管表面。一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管结构；提供一纳米颗粒预制体；将碳纳米管结构与纳米颗粒预制体复合，使得纳米颗粒通过范德华力附着于该碳纳米管结构中的碳纳米管表面。
六十三、碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法
申请号：CN200810141763.2
专利类型：授权发明
发明人：孟垂舟 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜；以及采用电化学原位聚合法将导电聚合物复合在所述碳纳米管薄膜上，获得一碳纳米管/导电聚合物复合材料。
六十四、碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法
申请号：CN200810142022.6
专利类型：授权发明
发明人：孟垂舟 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜；采用化学原位聚合法将导电聚合物复合在所述碳纳米管薄膜上。
六十五、碳纳米管复合材料及其制备方法
申请号：CN200910105873.8
专利类型：授权发明
发明人：杨远超 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括至少一碳纳米管；形成一金属包覆层在所述碳纳米管结构中至少一个碳纳米管的外表面；给所述碳纳米管结构在真空中通电，使所述碳纳米管外表面的金属包覆层熔融并与该碳纳米管中的碳原子反应，在所述碳纳米管外表面形成多个金属碳化物颗粒。本发明所提供的碳纳米管复合材料的制备方法，加热方式简单，无需复杂的退火工艺，从而能够简化所述碳纳米管复合材料的制备方法。
六十六、碳纳米管金属复合物及其制备方法
申请号：CN200910106566.1
专利类型：授权发明
发明人：白耀文 | 张秋越 | 林承贤
摘要：本发明涉及一种碳纳米管金属复合物的制备方法，其包括以下步骤：提供一含有金属离子的水溶液及一含有羰基或羟基的水溶性聚合物；溶解所述水溶性聚合物于水中；添加所述含有金属离子的水溶液至所述水溶性聚合物的水溶液中形成一第一混合溶液；添加碳纳米管的水溶液至所述第一混合溶液中得到一第二混合溶液；采用波长小于430纳米的光照射所述第二混合溶液形成碳纳米管金属复合物。
六十七、碳纳米管胶囊及制备方法，其复合材料及制备方法
申请号：CN200910107148.4
专利类型：授权发明
发明人：张慧玲 | 姚湲 | 王继存 | 汪友森 | 戴风伟
摘要：本发明涉及一种碳纳米管胶囊，其包括至少一碳纳米管及包覆所述至少一碳纳米管的一囊壁，该囊壁由聚合物制成且其表面具有多个第一官能团。本发明提供的碳纳米管胶囊选择将所述碳纳米管包覆在一具有第一管能团的囊壁中，使该碳纳米管表面具有多个第一官能团的同时，其结构不受到破坏。本发明还提供了该碳纳米管胶囊的制备方法，具该碳纳米管胶囊的复合材料及该复合材料的制备方法。
六十八、碳纳米管纳米颗粒复合材料的制备方法
申请号：CN200910106339.9
专利类型：授权发明
发明人：王佳平 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管纳米颗粒复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管；向该碳纳米管结构中引入至少两种反应原料，于该碳纳米管结构的表面形成厚度为1～100纳米的反应原料层；以及引发反应原料进行反应，生长纳米颗粒，从而得到一碳纳米管纳米颗粒复合材料。
六十九、纳米材料薄膜结构
申请号：CN200910107299.X
专利类型：授权发明
发明人：王佳平 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：本发明涉及一种纳米材料薄膜结构，其包括至少一层纳米膜，其中，该纳米膜包括多个基本沿同一方向排列的纳米线，且该纳米线由多个连续的纳米颗粒组成。
七十、石墨烯片-碳纳米管膜复合结构及其制备方法
申请号：CN201010135083.7
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 张丽娜 | 张昊旭 | 范守善
摘要：本发明涉及一种石墨烯片-碳纳米管膜复合结构，其包括至少一碳纳米管膜结构及多个石墨烯片，该碳纳米管膜结构包括多个微孔，其中，至少一微孔被一石墨烯片覆盖。本发明还涉及一种石墨烯片-碳纳米管膜复合结构的制备方法。
七十一、导火引线及采用该导火引线的爆炸装置
申请号：CN200910190569.8
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种导火引线，该导火引线包括至少一碳纳米管线状结构，该碳纳米管线状结构包括多个碳纳米管，该导火引线进一步包括一易氧化材料包覆于所述碳纳米管线状结构的表面，当该导火引线的一端被点燃时，该易氧化材料沿着碳纳米管线状结构的轴向连续地发生氧化反应。本发明还进一步提供一采用上述导火引线的爆炸装置。
七十二、碳纳米管复合材料的制备方法
申请号：CN200910110322.0
专利类型：授权发明
发明人：周睿风 | 孟垂舟 | 刘锴 | 姜开利 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管；提供一反应溶液，并采用该反应溶液浸润所述碳纳米管结构，该反应溶液溶解有至少一种金属化合物；以及在一无氧气氛中，热处理经所述反应溶液浸润后的碳纳米管结构，使该反应溶液中的金属化合物发生分解反应。由上述方法制备的碳纳米管复合材料具有良好的拉伸强度及杨氏模量。
七十三、碳纳米管复合结构
申请号：CN200910110320.1
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 周睿风 | 孙颖慧 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构，其包括：一碳纳米管结构，该碳纳米管结构为多个碳纳米管组成的自支撑结构，其中，进一步包括一增强体，该增强体设置于所述多个碳纳米管的表面，且相邻的碳纳米管之间通过该增强体紧密结合。该碳纳米管复合结构具有良好的拉伸强度及杨氏模量。
七十四、碳纳米管金属粉末混合体及金属复合材料的制备方法
申请号：CN201010102120.4
专利类型：授权发明
发明人：胡春华 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管金属粉末混合体的制备方法，其包括以下步骤：提供碳纳米管，并将该碳纳米管分散到一溶剂中，得到均匀的悬浊液；提供金属粉末，并将金属粉末加入所述悬浊液中，搅拌后静置，碳纳米管与所述金属粉末沉淀并形成均匀的碳纳米管金属混合体系，该碳纳米管金属混合体系与溶剂形成两相分离界面；除去溶剂，获得碳纳米管金属粉末的混合体。本发明还进一步提供采用所述碳纳米管金属粉末混合体的制备方法制备碳纳米管金属复合材料的方法。
七十五、碳纳米管复合结构的制备方法
申请号：CN201010212499.4
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 孙颖慧 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构的制备方法，其包括如下步骤：将一聚合物溶解于一有机溶剂形成一聚合物溶液，所述有机溶剂对碳纳米管的接触角小于90度；以及将一具自支撑结构的碳纳米管膜结构浸润在该聚合物溶液，使该聚合物与该碳纳米管结构复合。
七十六、碳纳米管复合结构的制备方法
申请号：CN201010212591.0
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 孙颖慧 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构的制备方法，其包括如下步骤：将一聚合物溶解于一有机溶剂形成一聚合物溶液，所述有机溶剂对碳纳米管的接触角小于90度；以及将一具自支撑结构的碳纳米管结构浸润在该聚合物溶液，使该聚合物与该碳纳米管结构复合。
七十七、碳纳米管复合结构
申请号：CN201010212498.X
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 孙颖慧 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构，其包括一碳纳米管结构及一石墨结构填充在所述碳纳米管结构中。所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管通过范德华力相互连接。所述石墨结构与所述碳纳米管结构通过碳碳键复合。
七十八、碳纳米管复合结构的制备方法
申请号：CN201010212390.0
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 孙颖慧 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构的制备方法，其包括如下步骤：提供一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管通过范德华力连接；所述碳纳米管结构中复合一聚合物；以及石墨化复合在所述碳纳米管结构中的聚合物，使该聚合物石墨化为一石墨结构。
七十九、碳纳米管复合结构
申请号：CN201010212038.7
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 孙颖慧 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构，其包括一碳纳米管膜结构及一石墨结构。所述碳纳米管膜结构具有多个微孔，所述石墨结构与所述碳纳米管膜结构复合。所述石墨结构包括多个石墨片段填充在所述多个微孔中。
八十、碳纳米管复合线及其制备方法
申请号：CN201010259961.6
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明公开一种碳纳米管复合线，包括一支撑芯，以及一碳纳米管层。该碳纳米管层环绕该支撑芯设置，并包覆在所述支撑芯外表面。该碳纳米管层为多个碳纳米管通过范德华力相互连接形成。该碳纳米管复合线具有较高的拉伸强度以及断裂伸长率，可以应用于高强度织物的制造，以及防弹衣的制造。本发明还公开所述碳纳米管复合线的制备方法。
八十一、碳纳米管复合线状结构的制备装置及其制备方法
申请号：CN201010259952.7
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一碳纳米管复合线状结构的制备装置，其包括：一供给单元，该供给单元用于提供一线状结构；一包覆单元，该包覆单元包括一驱动机构、一空心旋转轴及一花盘，该驱动机构设置于所述空心旋转轴的一端，用于驱动该空心旋转轴旋转；所述花盘固定于所述空心旋转轴的另一端，用于放置生长有碳纳米管阵列的基底，所述碳纳米管阵列用于制备一碳纳米管结构，该包覆单元用于将该碳纳米管结构缠绕于所述线状结构；以及一收集单元，该收集单元用于牵引该线状结构做直线运动及收集所述碳纳米管复合线状结构。本发明还提供一种采用上述制备装置制备碳纳米管复合线状结构的方法。
八十二、碳纳米管复合线状结构及其制备方法
申请号：CN201010260100.X
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合线状结构，包括一导电线状结构及一环绕该导电线状结构设置的碳纳米管层，该碳纳米管层为一连续的层状结构，且由若干碳纳米管组成。本发明还提供一种制备上述碳纳米管复合线状结构的方法，该制备方法包括以下步骤：提供一导电线状结构及一碳纳米管结构；以及将所述碳纳米管结构缠绕于所述导电线状结构的表面。
八十三、碳纳米管复合结构及其制备方法
申请号：CN201010259930.0
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构是由多个碳纳米管及聚合物材料复合而成的一个管状复合结构，其中，该碳纳米管复合结构中的碳纳米管之间通过范德华力紧密相连并形成多个间隙，所述聚合物材料填充于所述碳纳米管之间的间隙或包覆于所述碳纳米管表面。本发明碳纳米管复合结构为一柔性的空心管，具有良好的机械性能和韧性，能方便地应用于宏观的多个领域。本发明还涉及一种碳纳米管复合结构的制备方法。
八十四、亲水性碳纳米管复合结构
申请号：CN201010541533.2
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 范立 | 赵文美
摘要：本发明涉及一种亲水性碳纳米管复合结构，包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构具有至少一个表面，所述碳纳米管结构是由多个碳纳米管组成的一宏观结构，所述碳纳米管结构中多个碳纳米管通过范德华力相互连接；以及可溶性蛋白，该可溶性蛋白与所述碳纳米管结构复合，所述可溶性蛋白设置在所述碳纳米管结构的至少一个表面。另外，所述亲水性碳纳米管复合结构还可进一步包括一基底，所述碳纳米管结构设置在基底的表面。
八十五、碳纳米管复合结构及其制备方法
申请号：CN201010607353.X
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种碳纳米管复合结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底表面生长碳纳米管阵列；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管以及分散于所述碳纳米管膜中的催化剂颗粒；提供另一基底，并将至少一碳纳米管膜设置于该基底表面形成一第一碳纳米管结构；将所述设置有第一碳纳米管结构的基底置入反应炉中，通过化学气相沉积法在所述第一碳纳米管结构表面生长碳纳米管，形成第二碳纳米管结构得到所述碳纳米管复合结构。本发明提供的碳纳米管复合结构的制备方法简单易行，适合在工业上批量生长。
八十六、碳纳米管复合材料的制备方法及其应用
申请号：CN201110082160.1
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 王佳平 | 谢睿 | 范守善
摘要：一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一表面；提供至少一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述基体的表面，所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管之间形成有多个微间隙；将所述碳纳米管结构与基体放置于一电磁波环境中，使基体表面熔化后渗透至所述碳纳米管结构的多个微间隙中。本发明还涉及一由所述碳纳米管复合材料的制备方法制备的碳纳米管复合材料，以及应用该碳纳米管复合材料的电极板及其制备方法，以及应用该电极板的电子装置及其制备方法。
八十七、石墨烯-碳纳米管复合膜结构
申请号：CN201110076779.1
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 林晓阳 | 肖林 | 范守善
摘要：本发明涉及一种石墨烯-碳纳米管复合膜结构，其包括一碳纳米管膜结构及一石墨烯膜。该碳纳米管膜结构由多个碳纳米管通过范德华力相互连接组成，该碳纳米管膜结构中存在多个微孔。该多个微孔被所述石墨烯膜覆盖。
八十八、石墨烯-碳纳米管复合结构的制备方法
申请号：CN201110140262.4
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 林晓阳 | 肖林 | 范守善
摘要：一种石墨烯-碳纳米管复合结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；提供至少一石墨烯膜，该石墨烯膜形成或设置于所述基体的第一表面；提供至少一碳纳米管层，将所述基体和所述石墨烯膜与该碳纳米管层复合在一起，所述石墨烯膜与所述碳纳米管层相接触，得到基体-石墨烯-碳纳米管复合结构；除去基体，得到石墨烯-碳纳米管复合结构。
八十九、石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法
申请号：CN201110140264.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 林晓阳 | 肖林 | 范守善
摘要：本发明涉及一种石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一金属基底具有一第一表面，以及一与所述第一表面相对的第二表面；提供一自支撑的碳纳米管膜结构覆盖所述石墨烯膜并与所述石墨烯膜复合；至少部分去除所述金属基底，获得一石墨烯碳纳米管复合膜结构。
九十、石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法
申请号：CN201110140263.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 林晓阳 | 肖林 | 范守善
摘要：一种石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一金属基底，该金属基底具有一第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；采用化学气相沉积法在所述金属基底的第一表面生长石墨烯膜；于所述金属基底的第一表面形成一高分子层覆盖所述石墨烯膜；去除部分金属基底，获得石墨烯膜与高分子层的复合结构；以及提供一支撑的碳纳米管膜结构与所述石墨烯与高分子层的复合结构复合。
九十一、透明碳纳米管复合膜的制备方法
申请号：CN201110447128.9
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 孙颖慧 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种透明碳纳米管复合膜的制备方法，包括：提供一透明碳纳米管膜状结构，将所述透明碳纳米管膜状结构设置于一支撑体；将所述设置于支撑体的透明碳纳米管膜状结构浸入一透明高分子材料的溶液中；以及将所述透明碳纳米管膜状结构从所述透明高分子材料的溶液中取出，形成所述透明碳纳米管复合膜。本发明透明碳纳米管复合膜为一柔性的薄膜结构，具有良好的透光性能和机械性能，能方便地应用于宏观的多个领域。
九十二、碳纳米管复合膜的制备方法
申请号：CN201110447142.9
专利类型：授权发明
发明人：熊伟 | 王佳平 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合膜的制备方法，包括：将一聚偏二氟乙烯溶解于一第一溶剂形成一聚偏二氟乙烯溶液；提供一碳纳米管膜状结构，并将所述碳纳米管膜状结构浸入所述聚偏二氟乙烯溶液中；将所述碳纳米管膜状结构从所述聚偏二氟乙烯溶液中转移到一第二溶剂，所述聚偏二氟乙烯微溶或难溶于所述第二溶剂，该第一溶剂与该第二溶剂互溶，且该第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点；以及将所述碳纳米管膜状结构从所述第二溶剂中取出并烘干，形成所述碳纳米管复合膜。
九十三、碳纳米管复合材料的制备方法
申请号：CN201110447136.3
专利类型：授权发明
发明人：熊伟 | 王佳平 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种碳纳米管复合材料的制备方法，包括：将一聚偏二氟乙烯溶解于一第一溶剂形成一聚偏二氟乙烯溶液；提供一碳纳米管粉末，并将所述碳纳米管粉末分散于所述聚偏二氟乙烯溶液中形成一第一悬浊液；将所述第一悬浊液移到一第二溶剂形成一第二悬浊液，所述聚偏二氟乙烯微溶或难溶于所述第二溶剂，该第一溶剂可溶于该第二溶剂，且该第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点；将所述第二悬浊液过滤获得一中间产物；以及，将所述中间产物烘干，形成所述碳纳米管复合材料。
九十四、碳纳米管微波吸收膜
申请号：CN201110447131.0
专利类型：授权发明
发明人：熊伟 | 王佳平 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管微波吸收膜，包括：碳纳米管膜状结构以及聚偏二氟乙烯，其中，所述碳纳米管膜状结构包括多个均匀分布的碳纳米管，至少部分聚偏二氟乙烯填充于所述碳纳米管膜状结构中。
九十五、碳纳米管复合膜的制备方法
申请号：CN201110447121.7
专利类型：授权发明
发明人：熊伟 | 王佳平 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种碳纳米管复合膜的制备方法，包括：将一聚偏二氟乙烯溶解于一第一溶剂形成一聚偏二氟乙烯溶液；将一磁性颗粒分散于所述聚偏二氟乙烯溶液中形成一悬浊液；将一碳纳米管膜状结构浸入所述悬浊液中；将所述碳纳米管膜状结构从所述悬浊液中转移到一第二溶剂，所述聚偏二氟乙烯微溶或难溶于所述第二溶剂，该第一溶剂可溶于该第二溶剂，且该第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点；以及，将所述碳纳米管膜状结构从所述第二溶剂中取出并烘干，形成所述碳纳米管复合膜。
九十六、碳纳米管复合膜
申请号：CN201110447116.6
专利类型：授权发明
发明人：熊伟 | 王佳平 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种碳纳米管复合膜，包括磁性颗粒、聚偏二氟乙烯以及一碳纳米管膜状结构，所述碳纳米管膜状结构包括多个均匀分布的碳纳米管，至少部分磁性颗粒及聚偏二氟乙烯填充于所述碳纳米管膜状结构中。
九十七、一种基于碳纳米管的复合材料的制备方法
申请号：CN200410027632.3
专利类型：授权发明
发明人：黄华 | 刘长洪 | 范守善
摘要：一种基于碳纳米管的复合材料的制备方法，其包括以下步骤：制备一种预聚物溶液或预聚物单体溶液；将碳纳米管加入上述溶液，用超声波清洗一段时间；加入引发剂，使预聚物溶液或预聚物单体溶液发生反应而聚合；将聚合后的聚合物放到挤出设备中挤出；将挤出物进行拉伸，得到含有整齐排列碳纳米管的复合材料。
九十八、一种光学偏振光源装置及其制造方法
申请号：CN03113920.5
专利类型：授权发明
发明人：李鹏 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：本发明揭示一种光学偏振光源装置及其制造方法。此光学偏振光源装置，包括至少一碳纳米管束，及与该碳纳米管束两端相连接的两个电极。上述碳纳米管束的长度为600μm。当偏振光源装置的电极接上电源时，碳纳米管束发出偏振白炽光，偏振光的偏振方向平行于碳纳米管束的轴向。本发明还提供了一种制造上述光学偏振光源装置的方法，其包括：(1)沉积催化剂于一基底；(2)在预定温度下，使保护气体和碳源气的混合气体与催化剂接触，使得至少一碳纳米管束从催化剂区域长出；(3)取下至少一碳纳米管束，将其两端连接于两个电极。
九十九、光纤探针的制造方法
申请号：CN200610061853.1
专利类型：授权发明
发明人：姚湲 | 范守善
摘要：一种光纤探针的制造方法，其包括以下步骤：提供一光纤，其具有同轴设置的芯部与保护层；去除光纤一端的保护层并露出芯部；将露出的芯部浸入酸性溶液中腐蚀形成预定形状的探测端；形成一金属层于探测端表面。
一百、极化电子发射源及自旋极化扫描隧道显微镜
申请号：CN200610060733.X
专利类型：授权发明
发明人：段文晖 | 郝少刚 | 周刚 | 吴健 | 顾秉林
摘要：本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III-V族化合物半导体一维纳米结构；该III-V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端，该III-V族化合物半导体一维纳米结构的第二端开口，该III-V族化合物半导体一维纳米结构为开口纳米管；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III-V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。
欢迎大家关注以上专利，如有合作意向，请于2025年6月6日前联系：ottip@tsinghua.edu.cn(邮件中标明“专利展示”咨询合作）
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