一、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710125103.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体及一第一导电层设置在该第一基体的下表面；以及一第二电极板，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体及一第二导电层设置在该第二基体的上表面；其中，上述第一导电层和第二导电层中的至少一个导电层包括至少两个重叠的碳纳米管层，每一碳纳米管层包括多个定向排列的碳纳米管，且相邻的两个碳纳米管层中的碳纳米管沿同一方向排列。进一步地，本发明还涉及一种使用上述触摸屏的显示装置，其包括一触摸屏及一显示设备。
二、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710125407.7
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体及一第一导电层设置在该第一基体的表面；以及一第二电极板，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体及一第二导电层设置在该第二基体的表面，该第二导电层与第一导电层相对设置；其中，所述第一导电层和第二导电层中的至少一个导电层包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线。进一步地，本发明还涉及一种使用上述触摸屏的显示装置，其包括一触摸屏及一显示设备。
三、触摸屏的制备方法
申请号：CN200710125116.8
专利类型：授权发明
发明人：刘长洪 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏的制备方法，包括以下以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底及一第一基体和一第二基体；通过挤压上述碳纳米管阵列，从而获得一碳纳米管层分别形成在上述第一基体和第二基体表面，形成第一导电层和第二导电层，进而形成第一电极板和第二电极板；在上述第一电极板上设置两个第一电极，在上述第二电极板上设置两个第二电极，并将上述第一电极板和第二电极板间隔设置，且使上述第一导电层和上述第二导电层相对设置，从而得到一触摸屏。
四、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710125000.4
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：一种触摸屏，包括一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体、一第一导电层及两个第一电极，该第一导电层设置在该第一基体的下表面，该两个第一电极设置于第一导电层沿第一方向的两端并与该第一导电层电连接；一第二电极板，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体、一第二导电层及两个第二电极，该第二导电层设置在该第二基体的上表面，该两个第二电极设置于第二导电层沿第二方向的两端并与该第二导电层电连接，其中：上述第一电极和第二电极中的至少一个电极包括一碳纳米管层。
五、触摸屏的制备方法
申请号：CN200810190565.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏的制备方法，其包括以下步骤：提供一基体，以及至少一碳纳米管膜；将上述至少一碳纳米管膜铺设在基体表面，从而在基体表面形成一碳纳米管结构；提供至少两个电极，将该至少两个电极间隔设置并与所述碳纳米管结构电连接。该触摸屏的制备方法简单且成本较低。
六、触摸屏的制备方法
申请号：CN200710125406.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏的制备方法，其包括以下步骤：提供一柔性基体；制备至少一碳纳米管薄膜；将上述至少一碳纳米管薄膜铺设在上述柔性基体的表面，从而形成至少一覆盖于所述柔性基体表面的碳纳米管层；热压覆盖有碳纳米管层的柔性基体；间隔地形成两个电极于上述热压后的碳纳米管层的两端或所述柔性基体的两端，形成一电极板，作为第一电极板；重复上述步骤，制备另一电极板，作为第二电极板；形成一绝缘层于所述第一电极板或第二电极板形成碳纳米管层的一侧的外围；覆盖另一电极板于所述绝缘层上，且使所述第一电极板中的碳纳米管层和所述第二电极板中的碳纳米管层相对设置，从而形成一触摸屏。
七、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710125409.6
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体、一第一导电层及至少两个第一电极；以及一第二电极板，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体、一第二导电层及至少两个第二电极；其中，所述第一导电层和第二导电层中的至少一个导电层包括平行且间隔设置的多根碳纳米管线，所述设置有多根碳纳米管线的电极板两端分别对应设置有多个电极，所述每根碳纳米管线的两端分别与两个相对的电极电连接，且所述每个电极与至少一根碳纳米管线的一端电连接。进一步地，本发明还涉及一种使用上述触摸屏的显示装置，其包括一触摸屏及一显示设备。
八、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710305831.X
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，该触摸屏包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的表面；以及多个电极，该多个电极分别间隔设置，并与该透明导电层电连接。其中，所述透明导电层进一步包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括平行且间隔设置的多个碳纳米管长线，所述每个碳纳米管长线的两端分别与两个相对的电极电连接，且所述每个电极与至少一个碳纳米管长线的一端电连接。进一步地，本发明还涉及一种显示装置，其包括一显示设备及一触摸屏。
九、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710305829.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，该触摸屏包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的一表面；以及两个第一电极和两个第二电极。其中，所述透明导电层包括多个碳纳米管带状膜结构分别沿第一方向和第二方向平行且间隔设置，且第一方向与第二方向交叉。所述沿第一方向设置的碳纳米管带状膜结构的两端分别与两个第一电极电连接，所述沿第二方向设置的碳纳米管带状膜结构的两端分别与两个第二电极电连接。进一步地，本发明还涉及一种显示装置，其包括一显示设备及一触摸屏。
十、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710305828.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体、一第一导电层及至少两个第一电极；以及一第二电极板，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体、一第二导电层及至少两个第二电极；其中，所述第一导电层和第二导电层中的至少一个导电层包括平行且间隔设置的多个碳纳米管带状膜结构体，所述设置有多个碳纳米管带状膜结构体的电极板两端分别对应设置有多个电极，所述每个碳纳米管带状膜结构体的两端分别与两个相对的电极电连接，且所述每个电极与至少一个碳纳米管带状膜结构体的一端电连接。进一步地，本发明还涉及一种使用上述触摸屏的显示装置，其包括一触摸屏及一显示设备。
十一、触摸屏及显示装置
申请号：CN200710305830.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，该触摸屏包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的表面；以及多个电极，该多个电极分别间隔设置，并与该透明导电层电连接。其中，所述透明导电层进一步包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括平行且间隔设置的多个碳纳米管带状膜结构，所述每个碳纳米管带状膜结构的两端分别与两个相对的电极电连接，且所述每个电极与至少一个碳纳米管带状膜结构的一端电连接。进一步地，本发明还涉及一种显示装置，其包括一显示设备及一触摸屏。
十二、触摸屏及显示装置
申请号：CN200810068372.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：本发明涉及一种触摸屏及使用该触摸屏的显示装置，该触摸屏包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体、多个第一透明电极以及多个第一信号线，所述第一基体具有一第一表面，多个第一透明电极沿第一方向间隔设置在第一基体的第一表面，该多个第一信号线分别与多个第一透明电极电连接；以及一第二电极板，该第二电极板包括一第二基体、多个第二透明电极以及多个第二信号线，所述第二基体具有一第二表面，多个第二透明电极沿第二方向间隔设置在第二基体的第二表面，该多个第二信号线分别与多个第二透明电极电连接；其中，所述第一透明电极及第二透明电极为一碳纳米管层。
十三、触摸屏
申请号：CN200810068315.4
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：本发明涉及一种触摸屏，包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体及一第一导电层，该第一导电层设置在该第一基体的下表面；以及一第二电极板，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体及一第二导电层，该第二导电层设置在该第二基体的上表面；其中，上述第一导电层和第二导电层均包括一碳纳米管复合材料层，该碳纳米管复合材料层包括一碳纳米管层和渗入于碳纳米管层中的高分子材料。
十四、触摸屏的制备方法
申请号：CN200810068319.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：一种触摸屏的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基体；在第一基体的表面形成一碳纳米管复合材料层，制得第一电极板；重复上述步骤，制备第二电极板；封装第一电极板和第二电极板，形成一触摸屏。
十五、触摸屏及显示装置
申请号：CN200910109569.0
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 刘锴 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，该触摸屏的透明导电层为碳纳米管金属复合层。该碳纳米管金属复合层具有较高的透光性、较低的电阻及良好的柔韧性的特点，使得该触摸屏具有较好的耐用性、灵敏度及精确度。本发明还提供一种使用上述触摸屏的显示装置。
十六、触摸屏及显示装置
申请号：CN200910108235.1
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏及使用该触摸屏的显示装置，包括：一第一电极板，该第一电极板包括一第一基体及两个第一电极；以及一第二电极板，该第二电极板包括一第二基体及两个第二电极；其中，所述第一电极板进一步包括多个第一碳纳米管结构设置在第一基体的表面，该多个第一碳纳米管结构相互间隔设置，每个第一碳纳米管结构的两端分别与两个第一电极电连接；所述第二电极板进一步包括多个第二碳纳米管结构设置在第二基体的表面，该多个第二碳纳米管结构相互间隔设置，每个第二碳纳米管结构的两端分别与两个第二电极电连接，该多个第二碳纳米管结构与多个第一碳纳米管结构相对设置。
十七、触摸屏及显示装置
申请号：CN200910107865.7
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触摸屏，其包括：一基体具有一表面；两个第一电极设置在该基体表面沿第一方向的两端；两个第二电极设置在该基体表面沿第二方向的两端；多个第一碳纳米管结构设置在该基体表面，该多个第一碳纳米管结构相互间隔设置，每个第一碳纳米管结构的两端分别与两个第一电极电连接；以及多个第二碳纳米管结构设置在该基体表面，该多个第二碳纳米管结构相互间隔设置，每个第二碳纳米管结构的两端分别与两个第二电极电连接。本发明还涉及一应用该触摸屏的显示装置。
十八、触摸式控制装置
申请号：CN200710305833.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：一种触摸式控制装置，包括：一透明基板；一显示设备，该显示设备具有一显示面，该显示设备设置于所述透明基板上，且该显示设备的显示面远离该透明基板；及一触摸屏，该触摸屏包括一第一电极板及一第二电极板，该第一电极板包括一第一基体及一第一导电层设置在该第一基体的下表面，该第二电极板与第一电极板间隔设置，该第二电极板包括一第二基体及一第二导电层设置在该第二基体的表面并与该第一导电层相对设置，该触摸屏第二基体下表面正对该显示设备的显示面设置；其中，该第一导电层和第二导电层均包括一碳纳米管层。
十九、移动电话
申请号：CN200810142021.1
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 李群庆 | 刘亮 | 范守善
摘要：一种移动电话，包括：一本体；该本体上设置有一显示屏，该本体进一步包括一通话系统设置于本体内部；以及一触摸屏，该触摸屏设置于所述显示屏表面，该触摸屏包括至少一透明导电层；其中，所述触摸屏中的透明导电层为一碳纳米管层。
二十、个人数字助理
申请号：CN200810142023.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：一种个人数字助理，包括：一本体，该本体上设置有一显示屏；以及一触摸屏，该触摸屏设置于所述显示屏表面，该触摸屏包括至少一透明导电层；其中，所述触摸屏中的透明导电层为一碳纳米管层。
二十一、台式电脑
申请号：CN200810216309.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种台式电脑，其包括：一电脑主机；一显示器，该显示器通过数据线与电脑主机相连接，该显示器包括一显示屏；以及一触摸屏，该触摸屏设置于所述显示屏表面，该触摸屏包括至少一透明导电层，该透明导电层设置于与该触摸屏的触摸区域对应的位置，用于感测外界触摸；其中，所述触摸屏中的透明导电层为一碳纳米管结构。
二十二、触摸式液晶显示屏
申请号：CN200810068316.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：一种触摸式液晶显示屏，其包括一上基板、一下基板以及一液晶层，该上基板包括一触摸屏，该下基板与上基板相对设置，该下基板包括一薄膜晶体管面板，该液晶层设置于该上基板与下基板之间，其中，所述触摸屏中的导电层包括一碳纳米管层。
二十三、触摸式液晶显示屏
申请号：CN200810068317.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：一种触摸式液晶显示屏，其包括一上基板、一下基板以及一液晶层，该上基板包括一触摸屏，该下基板与上基板相对设置，该下基板包括一薄膜晶体管面板，该液晶层设置于该上基板与下基板之间，其中，该触摸屏中的导电层包括一第一碳纳米管层，该薄膜晶体管面板中的薄膜晶体管的半导体层包括一第二碳纳米管层。
二十四、触摸式液晶显示屏
申请号：CN200810068370.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：本发明涉及一种触摸式液晶显示屏，其包括：一上基板，该上基板包括一触摸屏，该触摸屏包括多个透明电极；一下基板，该下基板与上基板相对设置，该下基板包括一薄膜晶体管面板；以及一液晶层，设置于该上基板与下基板之间，其中，所述触摸屏中的透明电极包括一碳纳米管层。
二十五、触摸式液晶显示屏
申请号：CN200810068373.7
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：本发明涉及一种触摸式液晶显示屏，其包括：一上基板，该上基板包括一触摸屏，该触摸屏包括多个透明电极；一下基板，该下基板与上基板相对设置，该下基板包括一薄膜晶体管面板，该薄膜晶体管面板包括多个薄膜晶体管，且每个薄膜晶体管包括一半导体层；以及一液晶层，设置于该上基板与下基板之间，其中，该触摸屏中的透明电极包括一第一碳纳米管层，该薄膜晶体管面板中的薄膜晶体管的半导体层包括一第二碳纳米管层，该第一碳纳米管层及第二碳纳米管层包括多个碳纳米管。
二十六、触摸式液晶显示屏的制备方法
申请号：CN200810068318.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：本发明涉及一种触摸式液晶显示屏的制备方法，其包括以下步骤：制备一触摸屏，该触摸屏包括一碳纳米管层；形成一偏光层于上述触摸屏的一表面；形成一第一配向层于上述偏光层的表面，从而形成一上基板；制备一薄膜晶体管面板；形成一第二配向层覆盖于上述薄膜晶体管面板形成薄膜晶体管的表面；设置一偏光片于上述薄膜晶体管面板远离第二配向层的表面，形成一下基板；设置一液晶层于上基板的第一配向层与下基板的第二配向层之间，从而得到一触摸式液晶显示屏。
二十七、触摸式液晶屏的制备方法
申请号：CN200910004619.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善 | 陈杰良 | 郑嘉雄 | 吴志笙
摘要：一种触摸式液晶显示屏的制备方法，其包括以下步骤：提供一触摸屏，该触摸屏包括两个透明导电层，该透明导电层包括至少一碳纳米管膜；形成一第一偏光层于上述触摸屏的一表面；提供一薄膜晶体管面板，该薄膜晶体管面板包括多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管中的半导体层包括多个碳纳米管；以及封装一液晶层于上述触摸屏的第一偏光层与薄膜晶体管面板之间。
二十八、柔性手机
申请号：CN200910107864.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种柔性手机，其包括：一柔性本体，该柔性本体包括一通话系统，该通话系统设置于所述柔性本体内部；及一柔性显示屏，该柔性显示屏设置于所述柔性本体表面；其中，该柔性手机进一步包括一柔性触摸屏，该柔性触摸屏设置于所述柔性显示屏表面，该柔性触摸屏包括至少一透明导电层，该透明导电层包括一碳纳米管层。本发明的柔性手机的具有较高的柔韧性和耐弯折性能。
二十九、触摸屏输入指套
申请号：CN201010607405.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种触摸屏输入指套，其包括：一手指套筒；一输入端，所述输入端设置于该手指套筒；其中，所述输入端包括一支撑体及设置在该支撑体表面的导电层，所述导电层包括多个石墨烯，在使用时，所述导电层与手指导电性连接。
三十、触摸屏输入指套
申请号：CN201010607457.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种触摸屏输入指套，其包括：一手指套筒；一输入端，所述输入端设置于该手指套筒；其中，所述输入端包括一支撑体及设置在该支撑体表面的导电层，所述导电层为一碳纳米管复合材料层，该碳纳米管复合材料层包括多个碳纳米管以及包覆在每根碳纳米管的表面的导电材料层，在使用时，所述导电层与手指电连接。
三十一、触摸屏输入指套
申请号：CN201010607321.X
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种触摸屏输入指套，其包括：一手指套筒；一输入端，所述输入端设置于该手指套筒；其中，所述输入端包括一支撑体及设置在该支撑体表面的导电层，所述导电层为一碳纳米管高分子复合材料层，该碳纳米管高分子复合材料层包括至少一碳纳米管结构及一高分子基体，所述碳纳米管结构设置于该高分子基体中，在使用时，所述导电层与手指电连接。
三十二、触摸屏输入指套
申请号：CN201010607443.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种触摸屏输入指套，其包括：一手指套筒；一输入端，所述输入端设置于该手指套筒；其中，所述输入端包括一支撑体及设置在该支撑体表面的导电层，所述导电层为一石墨烯复合材料层，该石墨烯复合材料层包括一高分子基体及分布于该高分子基体中的多个石墨烯，在使用时，所述导电层与手指电连接。
三十三、触摸屏输入指套
申请号：CN201010607445.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种触摸屏输入指套，其包括：一手指套筒；一输入端，所述输入端设置于该手指套筒；其中，所述输入端包括一支撑体及设置在该支撑体表面的导电层，所述导电层包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构由多个碳纳米管组成。
三十四、触摸屏输入指套
申请号：CN201010607441.X
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：一种触摸屏输入指套，其包括：一手指套筒；一输入端，所述输入端固定于该手指套筒；其中，所述输入端为一碳纳米管结构，该碳纳米管结构由多个碳纳米管组成。
三十五、触控笔
申请号：CN201010607313.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性。所述笔头使用时与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头为由多个碳纳米管线平行成束组成的束状结构。
三十六、触控笔
申请号：CN201010607325.8
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性。使用时所述笔头与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头由多个碳纳米管组成。
三十七、触控笔
申请号：CN201010607442.4
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性，所述笔头使用时与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头由多个碳纳米管以及导电材料组成的多孔碳纳米管复合材料构成。
三十八、触控笔
申请号：CN201010607323.9
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性。所述笔头使用时与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头为柔性碳纳米管高分子复合材料构成，该柔性碳纳米管高分子复合材料包括一柔性高分子基体以及分散于该柔性高分子材料中的多个碳纳米管，所述多个碳纳米管在柔性高分子基体中形成导电网络。
三十九、触控笔
申请号：CN201010607421.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性。所述笔头使用时与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头包括柔性高分子材料以及分散于该柔性高分子材料中的石墨烯。
四十、触控笔
申请号：CN201010607312.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性。所述笔头使用时与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头的表面设置有由碳纳米管组成的触碰材料层。
四十一、触控笔
申请号：CN201010607458.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种触控笔，包括笔杆和笔头，所述笔头具有柔性及导电性。所述笔头使用时与触摸屏之间形成接触电容，所述笔头的表面设置有由石墨烯组成的触碰材料层。
四十二、柔性键盘
申请号：CN201110031060.6
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善 | 郑嘉雄 | 刘亮
摘要：一种柔性键盘，包括：一第一基体，其包括一第一表面及与该第一表面相对的第二表面；一第二基体，该第二基体与第一基体相对设置，该第二基体包括一第三表面及与该第三表面相对的第四表面，第二基体的第三表面与第一基体的第二表面相向设置；一第一电极层，该第一电极层设置于第一基体的第二表面；一第二电极层，该第二电极层设置于第二基体的第三表面，并与第一电极层面对设置；第一表面和第四表面中的一个表面上设置有多个按键，其中，所述第一电极层包括一第一导电层，该第一导电层为一碳纳米管层，所述第二电极层包括一第二导电层。
四十三、柔性键盘
申请号：CN201110031066.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善 | 郑嘉雄 | 刘亮
摘要：一种柔性键盘，包括：一第一基体，其包括一第一表面及与该第一表面相对的第二表面；一第二基体，该第二基体与第一基体相对设置，该第二基体包括一第三表面及与该第三表面相对的第四表面，第二基体的第三表面与第一基体的第二表面相向设置；一第一电极层，该第一电极层设置于第一基体的第二表面；一第二电极层，该第二电极层设置于第二基体的第三表面，并与第一电极层面对设置；第一表面和第四表面中的一个表面上设置有多个按键，其中，所述第一电极层包括多个间隔设置的第一导电层，每一个第一导电层为一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个均匀分布的碳纳米管，所述第二电极层包括一第二导电层。
四十四、柔性键盘
申请号：CN201110031061.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善 | 郑嘉雄 | 刘亮
摘要：一种柔性键盘，包括：一第一基体，其包括第一表面及第二表面；一第二基体，该第二基体与第一基体相对且间隔设置，该第二基体包括一第三表面及第四表面，第三表面和第二表面相向设置；一第一电极层，该第一电极层设置于第一基体的第二表面；一第二电极层，该第二电极层设置于第二基体的第三表面；第一表面和第四表面中的一个表面上设置有多个按键，其中，所述第一电极层包括多个第一导电层相互平行且相互间隔设置于所述第一基体的第二表面，该第一导电层包括至少一根导线，所述第二电极层包括一第二导电层，所述第二导电层为一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个均匀分布的碳纳米管。
四十五、可折叠鼠标
申请号：CN201630385833.4
专利类型：外观设计
发明人：邓磊 | 孙樱日 | 韩广泓 | 张凌 | 范守善
摘要：1. 本外观设计产品的名称：可折叠鼠标。
2. 本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于移动屏幕上的指针，使操作者可选择运算、处理文本或绘图等。
3. 本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体外形，可折叠作为鼠标，展开为片状结构。
4. 最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
四十六、可折叠鼠标
申请号：CN201520404256.9
专利类型：实用新型
发明人：邓磊 | 孙樱日 | 韩广泓 | 张凌 | 范守善
摘要：实用新型涉及一种可折叠鼠标，包括：一基板，一薄膜电池、一触控模组、一信号处理模组及一通讯模组设置于所述基板上；所述信号处理模组分别与所述触控模组及通讯模组电连接，以驱动所述触控模组，并对触控模组感测到的信号进行处理，并将处理后的数据传输给通讯模组；所述薄膜电池与所述触控模组、信号处理模组及通讯模组分别电连接，以提供能源；其中，所述基板为一片状结构，包括一主体结构、一第一支撑板及一第二支撑板对称设置于所述主体结构两侧，所述第一支撑板及第二支撑板可旋转的与所述主体结构相连，所述主体结构进一步包括一微型光盘设置于所述主体结构表面。实用新型所述可折叠鼠标结构更简单，便于携带。
四十七、可折叠鼠标
申请号：CN201520401368.9
专利类型：实用新型
发明人：邓磊 | 孙樱日 | 韩广泓 | 张凌 | 范守善
摘要：本实用新型涉及一种可折叠鼠标，包括：一基板，一薄膜电池、一触控模组、一信号处理模组及一通讯模组设置于所述基板上；其中，所述基板为一圆盘状结构，包括一主体结构、一第一支撑板、一第二支撑板及一第三支撑板，所述第一支撑板、第二支撑板及第三支撑板围绕所述主体结构设置，所述主体结构为一轴对称结构，具有一对称轴，所述第一支撑板及第二支撑板相对于所述对称轴对称设置于所述主体结构两侧，所述第一支撑板及第二支撑板可旋转的与所述主体结构相连接，所述第三支撑板设置于所述主体结构沿对称轴方向上的第一端，并可旋转的与所述主体结构相连接。本实用新型所述可折叠鼠标结构更简单，便于携带。
四十八、触控式汽车座椅及车载娱乐系统
申请号：CN201520945092.0
专利类型：实用新型
发明人：范守善 | 刘亮 | 潜力 | 王昱权
摘要：本实用新型涉及一种触控式汽车座椅，包括一座椅扶手，该座椅扶手包括一扶手骨架、一柔性垫、一柔性触控板及一外护套，该柔性垫设置在该扶手骨架的上侧，该柔性触控板设置在该柔性垫上，该外护套包裹在该柔性触控板之外，该柔性触控板为弹性结构，包括柔性基板及碳纳米管触摸功能层，该碳纳米管触摸功能层包括碳纳米管膜、多个第一电极及多个第二电极，该碳纳米管膜设置在该柔性基板表面，该多个第一电极及多个第二电极与该碳纳米管膜电连接。本实用新型还涉及一种应用该触控式汽车座椅的车载娱乐系统。
四十九、电磁屏蔽线缆
申请号：CN200710073893.2
专利类型：授权发明
发明人：李锡福 | 刘亮 | 姜开利 | 陈清龙 | 范守善
摘要：本发明涉及电磁屏蔽线缆，包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘介质层、至少一个电磁屏蔽层和外护套，其中，电磁屏蔽层包含多个碳纳米管绳。
五十、电磁屏蔽线缆
申请号：CN200710073892.8
专利类型：授权发明
发明人：李锡福 | 刘亮 | 姜开利 | 陈清龙 | 范守善
摘要：本发明涉及一种电磁屏蔽线缆，包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘介质层、至少一个电磁屏蔽层和外护套，其中，电磁屏蔽层为碳纳米管薄膜结构。
五十一、电磁屏蔽线缆
申请号：CN200710073891.3
专利类型：授权发明
发明人：李锡福 | 刘亮 | 姜开利 | 陈清龙 | 范守善
摘要：本发明涉及一种电磁屏蔽线缆，包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘介质层、至少一个电磁屏蔽层和外护套，其中，电磁屏蔽层包括碳纳米管薄膜结构和金属层。
五十二、复合电磁屏蔽材料及其制备方法
申请号：CN200710123803.6
专利类型：授权发明
发明人：林承贤 | 白耀文 | 李文钦 | 张睿 | 姜开利 | 冯辰
摘要：一种复合电磁屏蔽材料，包括聚合物与多个碳纳米管，其中多个碳纳米管以碳纳米管薄膜结构的形式设置于聚合物中。一种复合电磁屏蔽材料的制备方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得至少一碳纳米管膜；提供一基板，将上述至少一碳纳米管膜粘附于基板上，形成一碳纳米管薄膜结构，并去除基板外的多余的碳纳米管薄膜结构；将碳纳米管薄膜结构与一聚合物复合，获得一复合电磁屏蔽材料。
五十三、线缆的制造方法
申请号：CN200910002456.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 刘锴 | 赵清宇 | 翟永超 | 范守善
摘要：本发明涉及一种线缆的制造方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管结构；形成导电材料附着于所述碳纳米管结构表面；形成一具导电性的碳纳米管线状结构；形成绝缘材料包覆所述碳纳米管线状结构；形成屏蔽材料包覆所述绝缘材料；以及形成保护材料包覆所述屏蔽材料。
五十四、线缆
申请号：CN200810066299.5
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：一种线缆，包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘介质层、包覆在绝缘介质层外的至少一个屏蔽层和包覆在屏蔽层外的一个外护套，其中，该缆芯包括碳纳米管长线结构及导电材料层，该导电材料层包覆于碳纳米管长线结构表面。
五十五、线缆及其缆芯的制备方法
申请号：CN201010587440.3
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种缆芯的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；从所述碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一有序纯碳纳米管结构；对上述有序纯碳纳米管结构进行机械处理，得到一纯碳纳米管线状结构；形成至少一导电材料层于上述纯碳纳米管线状结构表面，得到一缆芯。本发明还进一步提供采用上述缆芯的线缆的制备方法。
五十六、制备导电线路的方法
申请号：CN200810218193.2
专利类型：授权发明
发明人：白耀文 | 张睿 | 林承贤
摘要：本发明揭示了一种制备导电线路的方法，其包括以下步骤：制备一含有碳纳米管的墨水；采用该墨水在一基底上形成导电线路预制体；以及对所述导电线路预制体进行化学镀。
五十七、墨水及采用该墨水制备导电线路的方法
申请号：CN200910104952.7
专利类型：授权发明
发明人：白耀文 | 张秋越 | 林承贤
摘要：本发明揭示了一种墨水，其包括：碳纳米管分散液，其包括溶剂及分散于溶剂中的碳纳米管，其中，所述墨水进一步包括贵金属离子及连接剂，所述贵金属离子通过所述连接剂附着在碳纳米管的表面。本发明还涉及一种制备导电线路的方法，其包括以下步骤：提供一墨水，其包括：溶剂及均匀分散于溶剂中的碳纳米管，贵金属离子及连接剂，所述贵金属离子通过连接剂附着在碳纳米管表面；在一基底表面形成包含碳纳米管及贵金属离子的导电线路预制体；将所述导电线路预制体中的贵金属离子还原为贵金属颗粒；以及对包含贵金属颗粒及碳纳米管的导电线路预制体进行金属化处理。
五十八、线缆
申请号：CN201010549606.2
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一种线缆，包括一缆芯、依次包覆在该缆芯外的一绝缘结构、一屏蔽结构和一保护结构，其中，所述缆芯包括一金属线状结构及一碳纳米管层，所述碳纳米管层包覆于该金属线状结构的表面，所述碳纳米管层为一连续的层状结构，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力相连。
五十九、铁电畴阵列结构及其制备方法，及具有该结构的铁电膜
申请号：CN200510037511.1
专利类型：授权发明
发明人：段文晖 | 吴忠庆 | 吴健 | 顾秉林
摘要：本发明涉及一种铁电畴阵列结构，其包括：多个铁电畴结构，该多个铁电畴结构具有纳米级直径，且以三角密排方式排布于一铁电超薄膜内。本发明还提供该铁电畴阵列结构的制备方法，其通过向一铁电超薄膜施加一垂直于其表面的预定大小的电场，在该预定大小的外加电场的极化作用下，铁电超薄膜内的铁电畴可自组织生成一铁电畴阵列结构。该铁电畴阵列结构的制作工艺简单，且该铁电畴阵列结构中的铁电畴结构具有纳米级直径。另外，本发明还提供具有上述铁电畴阵列结构的铁电膜。
六十、碳纳米管制备装置及方法
申请号：CN200510037326.2
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管制备装置及方法。该碳纳米管制备装置包括：一化学气相沉积装置，其包括一出气口；一抽低压装置，其与该出气口相连接，用于对该化学气相沉积装置降压。本发明通过在化学气相沉积装置的出气口设置一抽低压装置以对化学气相沉积装置以一预定速率进行抽气，使化学气相沉积装置内的压强以预定降压速率降低，进而可获取具有预定尖端形态的碳纳米管。并且，可通过设置不同的降压速率，实现具有不同尖端形态的碳纳米管的生长。
六十一、硅线的制备方法
申请号：CN200610032947.6
专利类型：授权发明
发明人：姚湲 | 徐立国 | 范守善
摘要：本发明涉及一种硅线的制备方法，其利用铜作为催化剂。所述方法包括以下步骤：提供一个基底；在基底上引入铜作为催化剂；以及将带有铜催化剂的基底放置于高温反应炉中并充入反应气体和惰性保护气体同时加热生成硅线。
六十二、纳米薄膜的制备方法
申请号：CN200610157992.4
专利类型：授权发明
发明人：张丽娜 | 张瑶俊 | 任意 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：本发明涉及一种纳米薄膜的制备方法，包括：配制一定浓度的纳米颗粒悬浊液，悬浊液包括有机溶剂和分散在有机溶剂内的纳米颗粒；及将纳米颗粒悬浊液滴入表面张力大、比纳米颗粒比重大、且与纳米颗粒不浸润的液体，在液体表面形成一层纳米颗粒薄膜。
六十三、分支型碳纳米管的制备方法
申请号：CN200710074810.1
专利类型：授权发明
发明人：罗春香 | 刘亮 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种分支型碳纳米管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一缓冲层于该基底的表面；形成一催化剂层于该缓冲层的表面，在碳纳米管的生长温度下，该催化剂层与上述缓冲层的材料是互不浸润的；将表面形成有缓冲层及催化剂层的基底置于一反应炉内；加热使反应炉的温度达到一预定温度，先通入保护气退火一段时间后，再往反应炉内通入碳源气，反应一段时间即得到分支型碳纳米管。该方法制备的分支型碳纳米管的产率可达到50％。
六十四、碳纳米管制备方法
申请号：CN200810066744.8
专利类型：授权发明
发明人：戴风伟 | 姚湲 | 张长生 | 白先声 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管的制备方法，其包括以下步骤：提供一铜基底，对铜基底的表面进行抛光处理；将抛光处理后铜基底置于一加热炉中，通入保护气体后加热至400℃-800℃；向加热炉中通入碳源气，在400℃-800℃下生长碳纳米管一段时间。
六十五、硅纳米结构的制备方法
申请号：CN200810066397.9
专利类型：授权发明
发明人：孙海林 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种硅纳米结构的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一生长基底，并将该生长基底与一催化剂材料间隔置于反应室内；向反应室通入流量比10∶1～1∶10的硅源气体与氢气，并加热至500～1100℃，生长硅纳米结构。
六十六、硅化铁纳米线的制备方法
申请号：CN200810066398.3
专利类型：授权发明
发明人：孙海林 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种硅化铁纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一铁板，并将该铁板置入反应室内；向反应室通入硅源气体，并加热至600～1200℃，在铁板上生长得到硅化铁纳米线。
六十七、氧化锌纳米结构的制备方法
申请号：CN200810066298.0
专利类型：授权发明
发明人：孙海林 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种氧化锌纳米结构的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉与一反应室；提供一生长基底，并在该生长基底上形成一金属层与一形成于该金属层上的催化剂层；所述金属层为铝膜，所述催化剂层为金膜；将一金属锌块或金属锌粉与上述生长基底置入反应室内；以及向反应室通入流量为20～1000毫升/分的含氧气体，并加热至1000℃进行反应生长氧化锌纳米管。
六十八、铝酸锌纳米材料的制备方法
申请号：CN200810066521.1
专利类型：授权发明
发明人：孙海林 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种铝酸锌纳米材料的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一金属锌与金属铝，并将该金属锌与金属铝置入反应室内；提供一生长基底，并将该生长基底置入反应室内；向反应室通入含氧气体，并加热至700～1100℃，生长铝酸锌纳米材料。
六十九、硅化铁纳米线的制备方法
申请号：CN200810066399.8
专利类型：授权发明
发明人：孙海林 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种硅化铁纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一定量的铁粉与一生长基底，并将该铁粉与生长基底间隔置入反应室内；向反应室通入硅源气体，并加热至600～1200℃，在生长基底上生长得到硅化铁纳米线。
七十、硅化镍纳米线的制备方法
申请号：CN200810066522.6
专利类型：授权发明
发明人：孙海林 | 姜开利 | 李群庆 | 范守善
摘要：一种硅化镍纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一硅基片，并在该硅基片表面形成一二氧化硅层；在上述硅基片的二氧化硅层表面沉积一钛层；提供一生长装置，且该生长装置具有一反应室，并将上述沉积有钛层的硅基片置入反应室内，并加热至500～1000℃；溅射产生镍团簇，并使该镍团簇沉积到硅基片表面，生长硅化镍纳米线。
七十一、纳米复合粒子及其制备方法
申请号：CN200810217965.0
专利类型：授权发明
发明人：YAO YUAN | ZHANG CHANGSHENG
摘要：一种纳米复合粒子，其包括一聚合物基体及设置于该聚合物基体中的至少一个纳米线。本发明还涉及所述纳米复合粒子的制备方法，包括以下步骤：提供多个纳米线；提供一液态的聚合物材料或聚合物单体；分散所述多个纳米线至所述液态的聚合物材料或聚合物单体中；固化形成复合材料；以及粉碎所述复合材料形成纳米复合粒子。
七十二、一维材料热导率的测量方法
申请号：CN200910107401.6
专利类型：授权发明
发明人：李庆威 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一维材料热导率测量系统，其包括一被测物放置装置，一几何尺寸获取模块，一拉曼光谱特征峰频值获取模块，一热功率获取模块，一比较模块，一计算模块。所述被测物放置装置至少包括间隔设置的四个电极，被测物设置于该四个电极的表面，且被测物位于中间两个电极的部分悬空设置。所述拉曼光谱特征峰频值获取模块，用于获取被测物在电流作用下自加热并达到热平衡后其悬空部分中心点拉曼光谱的特征峰频值作为初始值以及被测物悬空部分任一端点的拉曼光谱的特征峰频值。所述计算模块用于根据被测物悬空部分中心点与任一端点之温差、几何尺寸及热功率计算所述被测物热导率。本发明还涉及一种利用所述热导率测量系统测量一维材料热导率的方法。
七十三、金刚石薄膜的生长装置
申请号：CN200910190151.7
专利类型：授权发明
发明人：杨远超 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种金刚石薄膜的生长装置，其包括：一反应室，该反应室包括一进气口、一出气口；一抽真空装置，该抽真空装置通过所述出气口与所述反应室相连，用于对反应室抽真空；一底座，该底座设置于所述反应室内，且与所述进气口相对设置；一热丝装置、该热丝装置设置于所述反应室内，且位于所述进气口及所述底座之间。其中，该热丝装置包括至少一个加热丝，该加热丝为碳纳米管线，该碳纳米管线包括多个碳纳米管。该金刚石薄膜生长装置中的加热丝为碳纳米管线，在生长金刚石薄膜时未引入其他元素，可以得到纯度较高的金刚石薄膜。
七十四、碳纳米管结构的制备方法
申请号：CN201010212563.9
专利类型：授权发明
发明人：刘锴 | 姜开利 | 孙颖慧 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管预制结构，所述碳纳米管预制结构包括多个碳纳米管通过范德华力相连；将所述碳纳米管预制结构在低氧环境中进行热处理，使至少部分相邻之碳纳米管之间形成碳碳键。
七十五、一种碳纳米管、其制备方法和制备装置
申请号：CN02152098.4
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 刘亮
摘要：本发明涉及一种碳纳米管及其制备方法和实现该方法的装置。本发明的碳纳米管包括由单一同位素组成的第一碳纳米管片段和另一单一同位素组成的第二碳纳米管片段，该第一碳纳米管片段和第二碳纳米管片段沿碳纳米管的纵向交替排列。本发明的制备方法的改进之处在于反应中按照预定的浓度和顺序交替使碳的不同同位素参与反应。对于化学气相沉积法而言，在反应中交替通入分别含有不同同位素的碳源气以使不同同位素参与反应；对于电弧放电法而言，在反应中交替在不同同位素阳极之间切换电源以使不同同位素参与反应；对于激光烧蚀法而言，在反应中将激光交替照射在不同同位素靶上以使不同同位素参与反应。本发明还公开了实现上述制备方法的装置。
七十六、亲水性碳纳米管膜的制备方法
申请号：CN201010520058.0
专利类型：授权发明
发明人：陶志敏 | 范立 | 赵文美
摘要：本发明涉及一种亲水性碳纳米管膜的制备方法，其包括以下步骤：提供预定量的氧化性酸性溶液，将该氧化性酸性溶液放置于一反应室中；提供至少一碳纳米管初级膜；将该碳纳米管初级膜设置于所述反应室中，并所述碳纳米管初级膜与所述氧化性酸性溶液间隔设置；以及加热所述氧化性酸性溶液挥发，使挥发后的气态氧化性酸性物质与所述碳纳米管初级膜的碳纳米管产生反应。
七十七、在碳纳米管表面形成缺陷的方法
申请号：CN201010617897.4
专利类型：授权发明
发明人：王雪深 | 李群庆 | 范守善
摘要：本发明涉及一种在碳纳米管表面形成缺陷的方法，其包括如下步骤：提供一基底；将至少一第一碳纳米管设置在该基底的一表面；将至少一第二碳纳米管与所述至少一第一碳纳米管交叉且接触设置，所述第二碳纳米管的半径大于所述第一碳纳米管的直径；在该基底的表面沉积一掩膜层，所述掩膜层的厚度大于所述第一碳纳米管的直径且小于所述第二碳纳米管的半径；对沉积有掩膜层的基底进行刻蚀，去除所述第二碳纳米管且在所述第一碳纳米管与所述第二碳纳米管接触的部位形成至少一缺陷。
七十八、石墨烯导电膜结构的制备方法
申请号：CN201110140261.X
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 林晓阳 | 肖林 | 范守善
摘要：本发明涉及一种石墨烯导电膜结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一金属基底具有一第一表面，以及一与所述第一表面相对的第二表面；采用化学气相沉积法在所述金属基底的第一表面生长石墨烯薄膜；于金属基底的第二表面方向上图形化该金属基底，形成电极。
七十九、碳纳米管浆料的制备方法
申请号：CN201110097648.1
专利类型：授权发明
发明人：蔡琪 | 柳鹏 | 周段亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管浆料的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸；提供一基板，将所述至少一碳纳米管膜设置于基板表面；沿所述碳纳米管的延伸方向每间隔一段距离，利用激光沿垂直于所述碳纳米管延伸方向的方向切割所述至少一碳纳米管膜，形成碳纳米管长度基本一致的碳纳米管原料；将所述碳纳米管原料与无机粘结剂以及有机载体在有机溶剂中混合形成一混合物；以及去除所述有机溶剂。
八十、碳纳米管浆料的制备方法
申请号：CN201110097647.7
专利类型：授权发明
发明人：蔡琪 | 周段亮 | 柳鹏 | 范守善
摘要：本发明涉及提供一种碳纳米管浆料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长于一基底；采用激光扫描该碳纳米管阵列使碳纳米管阵列中碳纳米管被截短并具有均匀的高度；将激光截短后的碳纳米管阵列从基底上剥离得到长度均匀的碳纳米管；将所述长度均匀的碳纳米管、无机粘结剂以及有机载体混合形成碳纳米管浆料。本发明提供的碳纳米管浆料的制备方法简单且获得的碳纳米管浆料具有较好的场发射性能。
八十一、纺丝方法
申请号：CN200410026918.X
专利类型：授权发明
发明人：刘长洪 | 黄华 | 范守善
摘要：本发明涉及一种高分子及其复合材料的纺丝方法，用于解决现有技术中纺丝方法操作复杂、所得丝线纤度有限且连续性差的问题。本发明提供的一种纺丝方法，包括步骤：将一高分子材料与一用于稀释和分散的溶剂混合以形成一混合液；提供一含极性分子且与该混合液不易相溶的液体；将该混合液加入该液体并使其在该液体表面形成一薄膜；提供一具有一尖端的提拉器件，用其尖端接触该薄膜并提拉该提拉器件使得从该混合液中拉出丝线。
八十二、一种碳纳米管和其制备方法
申请号：CN200410027378.7
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 刘亮
摘要：本发明涉及一种碳纳米管和其制备方法。本发明的碳纳米管由两种以上的单一同位素混合组成，其中，该混合成份的同位素混合比例沿管长方向呈周期性或非周期性变化。本发明的制备方法在反应中按照预定的浓度和顺序交替使碳的不同同位素参与反应。对于化学气相沉积法而言，在反应中交替通入分别含有不同同位素的碳源气以使不同同位素参与反应；对于电弧放电法而言，在反应中交替在不同同位素阳极之间切换电源以使不同同位素参与反应；对于激光烧蚀法而言，在反应中将激光交替照射在不同同位素靶上以使不同同位素参与反应。
八十三、碳纳米管的制备方法
申请号：CN200410027651.6
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 刘亮
摘要：本发明涉及一种掺有同位素碳纳米管的制备方法，包括如下步骤：设置一碳棒作为阳极，该碳棒包括至少两个具有预定厚度的不同单一同位素片段，其中，沿棒长方向不同同位素片段可任意组合；设置一与该碳棒相对应设置的阴极；使该碳棒与该阴极发生电弧放电，使该碳棒提供的不同同位素片段按预定次序发生反应，生成掺有不同同位素的碳纳米管，沉积于该阴极上。
八十四、碳纳米管的制备方法
申请号：CN200410027635.7
专利类型：授权发明
发明人：范守善 | 刘亮
摘要：本发明涉及一种掺有同位素碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤：提供一碳棒，该碳棒包括至少两个具有预定厚度的不同单一碳同位素片段，其中，沿棒长方向不同同位素片段可任意组合；提供一碳纳米管收集装置；将该碳棒与该碳纳米管收集装置放入反应室中，并使碳纳米管收集装置置于该碳棒一侧；用置于该碳棒另一侧的脉冲激光照射该碳棒，使该碳棒提供的碳的同位素发生反应并使反应生成的碳纳米管沉积于收集装置上。
八十五、硅纳米线结构及其生长方法
申请号：CN200410051311.7
专利类型：授权发明
发明人：葛帅平 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种硅纳米线结构及其生长方法，属于纳米线技术领域。所述硅纳米线结构包括：一硅晶片基底，其包括一晶面，多根硅纳米线生长在所述晶面；所述硅纳米线沿所述晶面的外延<111>方向形成。所述晶面包括(100)、(110)以及(111)晶面，所述晶面包括多个外延<111>方向。其生长方法包括步骤：在硅晶片的晶面上形成一层金属催化剂层；将含有金属催化剂的硅晶片置于石英管内，在500至1000度反应温度下、通入含硅的反应气及氢气进行反应，并确保反应气含硅的量与氢气的摩尔比值为0.05～0.4，在石英管内壁沉积硅并逐渐达到平衡状态；在硅晶片的晶面上生长出硅纳米线。本发明可应用于纳米光学，纳米电子等领域。
八十六、一维纳米材料器件的制造方法
申请号：CN200510033943.5
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一维纳米材料器件及其制造方法。该一维纳米材料器件的制造方法包括：提供一含有一维纳米材料的溶液；提供一种稳定剂，并将该稳定剂加入所述的含有一维纳米材料的溶液中；提供两个相对的导电体，并使其相对的两末端间隔一距离；对该两导电体施加一交流电压，并使该两末端共同浸入该溶液中，直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间；将所得到的由一维纳米材料组装在一起的两导电体末端分离，以得到至少一个装有一维纳米材料的导电体末端。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。还提供有该制造方法制成的一维纳米材料器件，其分别可用作原子力显微镜的探针以及微型传感器。
八十七、一维纳米材料器件制造方法
申请号：CN200510033908.3
专利类型：授权发明
发明人：魏洋 | 范守善
摘要：本发明涉及一维纳米材料器件制造方法。该方法包括：提供多个导电体，其中各导电体分别具有一个待组装的末端；提供一个安装件，其具有一用于组装一维纳米材料的导电末端；提供一含有一维纳米材料的溶液；提供一种稳定剂，并将该稳定剂加入所述的含有一维纳米材料的溶液中；组装一维纳米材料，包括下列分步骤：使该安装件的导电末端与一导电体的待组装的末端相对并间隔一距离，对该两末端施加一交流电压，并使该两末端共同浸入该溶液中，直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间，使一维纳米材料从安装件的导电末端脱离，以得到一个装有一维纳米材料的导电体末端；对另一待组装的导电体重复上述组装一维纳米材料的步骤。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。
八十八、一种碳纳米管器件制作方法
申请号：CN200510102323.2
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种碳纳米管器件制作方法，包括步骤：提供一碳纳米管线；将碳纳米管线浸入一挥发性有机溶剂中以对其进行表面处理；采用一辅助装置，辅助已处理好的碳纳米管线成形，以使其形成一具有预定形状的碳纳米管器件雏形；将碳纳米管器件雏形进行热处理至一预定温度，使碳纳米管线保持住该预定形状，进而得到一碳纳米管器件。该碳纳米管器件制作方法可将碳纳米管线加工成具有预定形状的碳纳米管器件，以满足不同领域应用中的不同形状需求。
八十九、碳纳米管丝及其制作方法
申请号：CN200510120716.6
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 范守善
摘要：本发明提供一种碳纳米管丝的制作方法，通过将从一超顺排碳纳米管阵列拉出的碳纳米管膜经过一有机溶剂浸润处理后收缩成一碳纳米管丝，再收集即可，该方法简单易行。通过本方法所制得的碳纳米管丝，是由若干根碳纳米管线紧密结合在一起所构成的，其中，所述碳纳米管线包括多个首尾相接的碳纳米管束片段，每个碳纳米管束片段具有大致相等的长度，且每个碳纳米管束片段由多个相互平行的碳纳米管束构成。该碳纳米管丝表面体积比小，无粘性，且具有良好的机械强度及韧性，能方便地应用于宏观的多个领域。
九十、碳纳米管膜的生长装置及方法
申请号：CN200610061239.5
专利类型：授权发明
发明人：刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的生长装置，其包括一反应室及一基底，该基底呈弯曲状设置于反应室内，该基底表面设置有一催化剂层。本发明同时提供一种利用上述装置生长碳纳米管膜的方法。本发明所提供的碳纳米管膜的生长技术，与现有技术相比，采用弯曲状基底作为碳纳米管膜生长的载体，使得一定容量空间的反应室内可容纳更大面积的基底，从而实现碳纳米管膜在较小反应室内的大面积生长，这样可降低大面积的制备碳纳米管膜所需设备的成本。
九十一、碳纳米管薄膜结构及其制备方法
申请号：CN200710073265.4
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 姜开利 | 刘亮 | 张晓波 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管薄膜结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得至少两碳纳米管薄膜；提供一固定框架，将上述碳纳米管薄膜重叠地粘附于固定框架形成一多层的碳纳米管薄膜结构；以及使用有机溶剂处理上述多层碳纳米管薄膜结构。上述方法制备的碳纳米管薄膜结构，包括：至少两层重叠且交叉设置的碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管束，该多层碳纳米管薄膜结构进一步包括由多个碳纳米管束交叉形成的微孔。
九十二、碳纳米管薄膜的制备方法
申请号：CN200710074027.5
专利类型：授权发明
发明人：王鼎 | 刘长洪 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管薄膜的制备方法，包括：将碳纳米管原料加入到溶剂中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构；以及将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄膜。
九十三、碳纳米管薄膜的制备装置及其制备方法
申请号：CN200710123816.3
专利类型：授权发明
发明人：刘亮 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管薄膜的制备装置，包括一样品台，进一步包括一基条供给装置、一载物装置及一拉伸装置依次设置于样品台一侧，其中该基条供给装置与该样品台相邻，该载物装置设置在该基条供给装置和该拉伸装置之间。一种制备碳纳米管薄膜的方法，包括：提供一碳纳米管阵列形成于基底上，将该基底固定于样品台上；从上述碳纳米管阵列预拉出一段碳纳米管薄膜，将此碳纳米管薄膜一端粘附于基条供给装置提供的第一基条上；将上述第一基条固定于拉伸装置上，拉伸上述碳纳米管薄膜；将碳纳米管薄膜粘附于基条供给装置提供的第二基条上；提供一支撑体于载物台上，将第一基条与第二基条之间的碳纳米管薄膜粘附于支撑体上；在第一基条与支撑体之间及第二基条与支撑体之间截断碳纳米管薄膜。
九十四、碳纳米管纱的制备方法
申请号：CN200810216308.4
专利类型：授权发明
发明人：廖运鑫 | 姜开利 | 范守善 | 姚湲 | 张长生 | 白先声
摘要：本发明涉及一种碳纳米管纱的制备方法，包括以下步骤：提供多个碳纳米管阵列；从一碳纳米管阵列中拉取获得一第一碳纳米管结构；从另一碳纳米管阵列中拉取获得一第二碳纳米管结构；沿拉伸方向将第二碳纳米管结构的一端与第一碳纳米管结构靠近碳纳米管阵列的一端相接触，得到一长度延长的碳纳米管结构；重复上述延长步骤，使碳纳米管结构的长度进一步延长；以及通过使用有机溶剂处理上述碳纳米管结构得到一碳纳米管纱。
九十五、碳纳米管薄膜结构及其制备方法
申请号：CN200810066048.7
专利类型：授权发明
发明人：王雪深 | 李群庆 | 姜开利 | 范守善
摘要：一种碳纳米管薄膜结构，其包括至少一碳纳米管薄膜，其中，该碳纳米管薄膜包括多个平行于碳纳米管薄膜表面的超长碳纳米管，且超长碳纳米管彼此平行排列。
九十六、带状碳纳米管薄膜的制备方法
申请号：CN200810067529.X
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 李群庆 | 刘亮 | 范守善
摘要：一种带状碳纳米管薄膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底表面形成至少一个带状催化剂薄膜；采用化学气相沉积法生长至少一个带状碳纳米管阵列；以及处理所述至少一个带状碳纳米管阵列，使所述至少一个带状碳纳米管阵列沿垂直于其长度的方向倾倒，在基底表面形成至少一个带状碳纳米管薄膜。
九十七、碳纳米管薄膜的制备方法
申请号：CN200810067588.7
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 刘锴 | 翟永超 | 姜开利 | 范守善
摘要：本发明涉及一种碳纳米管薄膜的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管阵列，形成于一基底；采用等离子体处理该碳纳米管阵列；以及采用一拉伸工具从等离子体处理后的碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管薄膜。
九十八、透明碳纳米管膜的制备方法
申请号：CN200910142784.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种透明碳纳米管膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管基本平行于碳纳米管膜的表面；以及加热该碳纳米管膜，该碳纳米管膜中的部分碳纳米管被氧化，使该碳纳米管膜变薄。该方法制备的透明碳纳米管膜可应用于透明电极、薄膜晶体管、触摸屏等领域。
九十九、碳纳米管膜
申请号：CN200810217820.0
专利类型：授权发明
发明人：姜开利 | 冯辰 | 肖林 | 陈卓 | 刘亮 | 范守善 | 李群庆 | 潜力 | 刘锴 | 魏洋
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜，其包括：多个第一碳纳米管；以及多个第二碳纳米管，其中，所述多个第一碳纳米管沿同一方向定向排列，至少部分第二碳纳米管与至少两个第一碳纳米管接触。
一百、制备碳纳米管膜的方法及制备该碳纳米管膜的拉伸装置
申请号：CN200910106771.8
专利类型：授权发明
发明人：冯辰 | 姜开利 | 刘亮 | 范守善
摘要：本发明涉及一种制备碳纳米管膜的方法，其包括如下步骤：提供一形成于一基底上的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管基本垂直于所述基底表面；提供一拉伸装置，该拉伸装置具有一接触面，该接触面上设置有黏胶；将该拉伸装置靠近所述基底，并使所述接触面相对于碳纳米管阵列中的碳纳米管倾斜，使所述黏胶与碳纳米管阵列中的多个碳纳米管接触；沿远离所述碳纳米管阵列的方向移动所述拉伸装置，使碳纳米管首尾相连地从碳纳米阵列中连续地被拉出，从而获得一碳纳米管膜。本发明提供的制备碳纳米管膜的方法，利于连续制备碳纳米管膜。本发明还提供了一种制备该碳纳米管膜的拉伸装置。
欢迎大家关注以上专利，如有合作意向，请于2025年5月26日前联系：ottip@tsinghua.edu.cn(邮件中标明“专利展示”咨询合作）
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