一、偏光元件及其制备方法

申请号：CN200710073765.8

专利类型：授权发明

发明人：冯辰 | 姜开利 | 刘亮 | 张晓波 | 范守善

摘要：本发明涉及一种光学偏光元件及其制备方法。该偏光元件包括一支撑体和一由支撑体支撑的偏光膜，其中，该偏光膜为至少一碳纳米管薄膜，该至少一中碳纳米管均沿同一方向定向排列。本发明还涉及该偏光元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体；提供至少一层碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中碳纳米管均沿同一方向排列；以及将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件。由于碳纳米管具有高温的热稳定性，且对于各种波长的电磁波均有均一的吸收特性，故本发明的偏光元件对于各种波长的电磁波也有均一的偏振吸收性能，具有广泛的应有范围。

二、偏光元件

申请号：CN200910109129.5

专利类型：授权发明

发明人：冯辰 | 姜开利 | 范守善

摘要：本发明涉及一种偏光元件，其包括一支撑体及一由该支撑体支撑的偏光膜。该偏光膜包括一碳纳米管膜状结构，所述碳纳米管膜状结构包括多个碳纳米管基本沿同一方向择优取向排列。该碳纳米管膜状结构具有两个相对的表面，其中一个表面设置有一金属层，该金属层用于改善所述偏光膜的在各个波段电磁波的偏振性能。该偏光元件在高温、高湿环境中也具有良好的偏光作用。

三、偏光眼镜

申请号：CN201010294970.9

专利类型：授权发明

发明人：冯俊波 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种偏光眼镜，包括一镜架及一设置于镜架的镜片，所述镜片包括：一基底层；至少一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜设置于所述基底层，所述碳纳米管膜由多个碳纳米管组成，所述多个碳纳米管通过范德华力首尾相连并沿一个方向择优取向排列。

四、偏光元件及其制备方法

申请号：CN201110174812.4

专利类型：授权发明

发明人：冯辰 | 姜开利 | 刘亮 | 张晓波 | 范守善

摘要：本发明涉及一种光学偏光元件，其包括一支撑体和一设置于该支撑体的偏光膜，该偏光膜为至少一层碳纳米管薄膜，所述碳纳米管薄膜为由多个碳纳米管通过范德华力相互结合形成的宽度为1厘米至10厘米的连续的整体结构，该至少一层碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。由于碳纳米管具有高温的热稳定性，且对于各种波长的电磁波均有均一的吸收特性，故本发明的偏光元件对于各种波长的电磁波也有均一的偏振吸收性能，具有广泛的应有范围。本发明还涉及一种光学偏光元件的制备方法。

五、偏光元件及其制备方法

申请号：CN201110174798.8

专利类型：授权发明

发明人：冯辰 | 姜开利 | 刘亮 | 张晓波 | 范守善

摘要：本发明涉及一种光学偏光元件及其制备方法。该偏光元件包括一支撑体和一由支撑体支撑的偏光膜，其中，该偏光膜包括至少一碳纳米管薄膜，该至少一碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。本发明还涉及该偏光元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体；提供至少一层碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中碳纳米管沿同一方向择优取向排列；以及将所述至少一层碳纳米管薄膜碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件。由于碳纳米管具有高温的热稳定性，且对于各种波长的电磁波均有均一的吸收特性，故本发明的偏光元件对于各种波长的电磁波也有均一的偏振吸收性能，具有广泛的应用范围。

六、一种透射型低能量电子显微系统

申请号：CN201620557125.9

专利类型：实用新型

发明人：柳鹏 | 赵伟 | 林晓阳 | 周段亮 | 张春海 | 姜开利 | 范守善

摘要：本实用新型涉及一种透射型低能量电子显微系统，其包括：一真空腔体；一电子枪，用于发射的电子束；一衍射腔体；一成像装置；一样品支架，用于固定二维纳米材料样品，上述电子束可以从所述二维纳米材料样品透射之后形成进入所述衍射腔体内的透射电子束与衍射电子束，并在所述成像装置上成像；一芯柱；一抽真空装置；以及一控制电脑；其中，所述控制电脑还包括工作模式切换模块，所述工作模式切换模块可以实现大束斑的成像模式和小束斑的衍射模式之间切换；所述大束斑的成像模式为采用大于样品的电子束照射整个样品表面，并进行衍射成像；所述小束斑的衍射模式为采用小于样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面，并进行衍射成像。

七、有机复合材料二极管

申请号：CN200810068457.0

专利类型：授权发明

发明人：胡春华 | 刘长洪 | 范守善

摘要：一种有机复合材料二极管，其包括：一个有机复合材料层，所述有机复合材料层包括均匀分散的多个碳纳米管；以及一个第一电极与一个第二电极间隔设置于所述有机复合材料层，并分别与所述有机复合材料层电连接；其中，所述有机复合材料二极管进一步包括一压力层设置于所述有机复合材料层表面并覆盖部分有机复合材料层，所述第一电极与压力层所覆盖的有机复合材料层电连接，所述第二电极与压力层未覆盖的有机复合材料层电连接。所述有机复合材料二极管的参数可以通过压力调制，具有较宽的使用温度范围，还具有柔韧性，并且可以应用于柔性电路。

八、一种发光二极管的制备方法

申请号：CN200910105809.X

专利类型：授权发明

发明人：李群庆 | 姜开利 | 范守善

摘要：一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；提供一碳纳米管结构，将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的表面，形成一碳纳米管透明导电膜；形成一保护层，覆盖所述碳纳米管结构；除去保护层的第一区域，以暴露出部分碳纳米管结构；在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极；除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导体层和活性层相应部分，以暴露出部分第一半导体层；和在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。

九、发光二极管

申请号：CN201010192156.6

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第二半导体层的远离基底的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。

十、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110110761.9

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一上电极；去除所述基底，使所述碳纳米管层暴露；在所述碳纳米管层表面设置一下电极。

十一、发光二极管

申请号：CN201110110763.8

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一下电极、一碳纳米管层、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一上电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述下电极的一侧，且所述第一半导体层靠近下电极设置，所述上电极与所述第二半导体层电连接，其中，所述第一半导体层靠近下电极的表面具有多个凹槽以形成一图形化表面，所述碳纳米管层设置于该图形化的表面，并嵌入该多个凹槽中。

十二、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110110765.7

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极；去除所述基底，暴露出所述碳纳米管层形成一出光面；在所述第一半导体层表面设置一第二电极。

十三、发光二极管

申请号：CN201110110778.4

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一电极、一反光层、一第二半导体层、一活性层、一第一半导体层及一第二电极，所述反光层、第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极依次层叠设置在所述第一电极的一表面，所述反光层与所述第一电极接触设置，其中，所述第一半导体层靠近第二电极的表面为多个纳米级的凹槽形成一图形化的表面。

十四、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110110729.0

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在基底的外延生长面生长一半导体外延层，其中，所述半导体外延层包括一N型半导体层、一活性层以及一P型半导体层；蚀刻所述半导体外延层，从而使部分碳纳米管层暴露；以及设置一第一电极和一第二电极，其中，所述第一电极设置于所述半导体外延层远离基底的表面，所述第二电极设置于所述碳纳米管层暴露的部分表面。

十五、发光二极管

申请号：CN201110110751.5

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一碳纳米管层设置在所述基底的外延生长面；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面一侧形成一半导体外延层，且所述碳纳米管层的一部分被所述半导体外延层覆盖，另一部分暴露；一第一电极与所述第二半导体层电连接；以及一第二电极与所述碳纳米管层暴露的部分电连接。

十六、发光二极管

申请号：CN201110110772.7

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层及一第二电极，所述第二电极及第二半导体层位于发光二极管出光面一侧，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其中，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，所述碳纳米管层被包覆于所述第一半导体层中，以形成所述第一半导体层内的微结构。

十七、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110110728.6

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，其具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面上悬空设置碳纳米管层；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，所述第一半导体层将所述碳纳米管层包覆于其中，在所述第一半导体层内形成微结构；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域，以暴露部分第一半导体层；形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。

十八、发光二极管

申请号：CN201110110801.X

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞，一碳纳米管层设置于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳米管层设置于该孔洞内。本发明提供的发光二极管的光取出效率较高。

十九、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110110764.2

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一第一碳纳米管层；在基底的外延生长面依次外延生长第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域以暴露第一半导体层；以及在第一半导体层的表面制备一第一电极，在第二半导体层的表面制备第二电极。本发明提供的发光二极管的制备方法可得到具有较高出光率的发光二极管。

二十、发光二极管

申请号：CN201110110779.9

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接设置；一第二电极与所述第二半导体层电连接设置；其中所述第一半导体层与基底接触的表面具有多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞。本发明提供的发光二极管的光取出效率较高。

二十一、一种发光二极管的制备方法

申请号：CN201110110759.1

专利类型：授权发明

发明人：魏洋 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一第一碳纳米管层；在基底的外延生长面依次外延生长第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域以暴露第一半导体层；在第一半导体层的表面制备一第一电极，在第二半导体层的表面制备第二电极；以及去除碳纳米管层。本发明提供的发光二极管的制备方法可制备具有较高出光率的发光二极管。

二十二、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110293092.3

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面设置一掩模层，其形成有多个沿同一方向延伸的凹槽及多个条形凸起结构；刻蚀所述基底，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述外延生长面形成一M形三维纳米结构阵列；在所述三维纳米结构阵列表面依次生长一第一半导体层、一活性层及第二半导体层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。

二十三、发光二极管

申请号：CN201110293095.7

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，所述基底具有相对的第一表面及第二表面，所述第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的第一表面，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述基底的第二表面为所述发光二极管的出光面，其中，所述基底的至少一表面进一步包括多个并排延伸三维纳米结构，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

二十四、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110293094.2

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第一半导体层表面设置图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述第一半导体层，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；设置一第一电极至少覆盖所述多个三维纳米结构远离活性层的部分表面；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。

二十五、发光二极管

申请号：CN201110293091.9

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于所述第一半导体层远离活性层的表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

二十六、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110293093.8

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽；刻蚀所述第二半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第二半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层部分表面；设置一第一电极与所述第二半导体层电连接；以及在暴露的第一半导体层表面设置一第二电极与所述第一半导体层电连接。

二十七、发光二极管

申请号：CN201110293096.1

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，所述第二半导体层位于该发光二极管的出光面一侧；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于所述发光二极管的出光面，且所述三维纳米结构为M形三维纳米结构。

二十八、发光二极管

申请号：CN201110395468.1

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于一基底一表面，所述第一半导体层与所述基底接触设置，所述基底远离第一半导体层的表面为所述发光二极管的出光面，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的表面，其中，所述活性层至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，所述发光二极管的出光面或所述基底与第一半导体层接触的表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。

二十九、发光二极管

申请号：CN201110395477.0

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，其中，所述活性层至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，且所述发光二极管的出光面或所述基底与第一半导体层接触的表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。

三十、发光二极管

申请号：CN201110395475.1

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于一基底一表面，所述第一半导体层与所述基底接触设置，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的表面，其中，所述活性层至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，所述发光二极管的出光面及所述基底与第一半导体层接触的表面中的至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。

三十一、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110395469.6

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构；刻蚀所述第一半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构；在所述多个三维纳米结构表面形成一活性层及第二半导体层；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层部分表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第一电极；以及设置一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的表面。

三十二、发光二极管

申请号：CN201110395463.9

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面，且所述第一半导体层靠近所述基底设置，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面，所述第一表面与所述基底相邻，所述第一表面与活性层相邻；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的表面；其中，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面为与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合形成的图案化表面。

三十三、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110395474.7

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构；刻蚀所述第一半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构；在所述多个三维纳米结构表面形成一活性层及第二半导体层，所述活性层与第一半导体层接触表面与所述图案化的表面相啮合；去除所述基底，暴露出第一半导体层表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第一电极；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。

三十四、发光二极管

申请号：CN201110395467.7

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第二表面，所述活性层设置于所述第一半导体层及第二半导体层之间；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；其中，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面为与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合形成的图案化表面。

三十五、发光二极管的制备方法

申请号：CN201110395476.6

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构；在所述多个三维纳米结构表面形成一活性层及第二半导体层，所述活性层与第一半导体层接触表面与所述多个三维纳米结构啮合；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层的部分表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第二电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。

三十六、发光二极管

申请号：CN201110395473.2

专利类型：授权发明

发明人：朱振东 | 李群庆 | 张立辉 | 陈墨 | 范守善

摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近所述基底设置，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；其中，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面为与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合形成的图案化表面。

三十七、金属氧化物纳米晶的制备方法

申请号：CN200710073764.3

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 王定胜

摘要：本发明涉及一种金属氧化物纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将0.1克至1克的金属硝酸盐放入10毫升的十八胺溶剂中，在搅拌的状态下加温反应1至60分钟；冷却后，将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到金属氧化物纳米晶。或者包括以下步骤：将0.1克至1克的金属硝酸盐放入10毫升的十八胺溶剂中，在搅拌的状态下加温反应1至5分钟；而后放入反应釜中晶化20至24小时；冷却后，将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到金属氧化物纳米晶。本发明所提供的金属氧化物纳米晶的制备方法适于大规模工业生产，具有极为广阔的市场前景。

三十八、介孔材料的制备方法

申请号：CN200710073980.8

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 王定胜 | 白锋 | 霍子扬 | 刘立平 | 陈伟

摘要：本发明涉及一种介孔材料的制备方法，其包括如下步骤：(1)将预先合成的纳米晶溶解在有机溶剂中配成溶液A；(2)将表面活性剂溶于水配成溶液B；(3)将溶液A与溶液B按体积比为1:(5～30)混合，将所得混合液经乳化后得到均匀稳定的乳液C；(4)将乳液C中的有机溶剂去除后，得到沉淀物；(5)将所得的沉淀物经分离后，以去离子水洗涤，得到胶体材料；及(6)将所得的胶体材料经过煅烧即可得到介孔材料。通过该方法制备的介孔材料在结构上具有比表面积大、孔隙率高、孔径分布窄等特点，因此在化学、光电子学、电磁学、材料学、环境学等诸多领域有着巨大的应用前景。

三十九、单分散银、硫化银及硒化银纳米晶的制备方法

申请号：CN200710073766.2

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 王定胜

摘要：本发明涉及一种单分散银纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：(1)将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中反应1至10分钟；(2)将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到单分散银纳米晶。该制备方法中的步骤(1)可通过进一步将硫粉放入上述反应体系后继续反应8至12分钟，获得单分散硫化银纳米晶或通过进一步将硒粉放入上述反应体系后继续反应8至12分钟，获得单分散硒化银纳米晶。本发明所提供的单分散银、硫化银及硒化银纳米晶的制备方法适于大规模工业生产，具有极为广阔的市场前景。

四十、将纳米晶组装成三维水相分散胶体球的方法

申请号：CN200710073978.0

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 白锋 | 王定胜 | 霍子扬 | 陈伟 | 刘立平

摘要：本发明涉及一种将纳米晶组装成三维水相分散胶体球的方法，其包括如下步骤：(1)将预先合成的纳米晶溶解在有机溶剂中，配成浓度为1毫克/毫升至30毫克/毫升的溶液A；(2)将表面活性剂溶于水，配成浓度为0.002毫摩尔/毫升至0.05毫摩尔/毫升的溶液B；(3)将溶液A与溶液B按体积比为1∶(5～30)混合，将所得混合液经乳化后得到均匀稳定的乳液C；(4)将乳液C中的有机溶剂去除后，得到沉淀物；及(5)将所得到的沉淀物经分离后，以去离子水洗涤，即可得到由纳米晶组装而成的三维水相分散胶体球。该方法具有通用性强、工艺简单、易于操作、原料多样且低毒性等优点，因而有着广阔地工业生产及应用前景。

四十一、单分散金属钛酸盐的制备方法

申请号：CN200710073767.7

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 霍子扬 | 陈晨

摘要：本发明涉及一种单分散金属钛酸盐的制备方法，其具体包括以下步骤：以摩尔比为1:1:(0-0.1)的钛酸脂类、金属盐及稀土金属盐为原料，其中稀土金属盐为掺杂成分，在碱性条件下，以乙醇和水为反应介质，采用水热法或回流法得到白色沉淀物，经过滤、洗涤、烘干即得到金属钛酸盐粉末。该金属钛酸盐的制备方法简单、快速且无需催化剂，制备的金属钛酸盐尺寸小、粒径均匀、分散性好。

四十二、8-羟基喹啉铝纳米晶的制备方法

申请号：CN200710073648.1

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 陈伟

摘要：本发明提供一种8-羟基喹啉铝纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将8-羟基喹啉铝粉末溶解于有机溶剂中，得到溶液A；将表面活性剂溶解于水中，得到溶液B；将溶液A与溶液B通过剧烈搅拌或强力超声均匀混合后，得到均一的乳液C；在40℃至90℃的温度下，将乳液C搅拌蒸发或减压蒸馏2至8小时以去除有机溶剂，离心分离后即得到8-羟基喹啉铝纳米晶。该制备方法操作简单、能耗低、适于工业化生产，且该方法制备所得的8-羟基喹啉铝纳米晶易于通过简单的旋涂法形成均一、致密的膜。

四十三、碳复合材料的制备方法

申请号：CN200910106317.2

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 陈伟 | 肖小玲 | 陈晨

摘要：本发明涉及一种碳复合材料的制备方法，包括：提供一金属对苯二甲酸配位聚合物；以及在一惰性气体的环境下，在500摄氏度至1300摄氏度加热所述金属对苯二甲酸配位聚合物，得到一碳复合材料。所述金属对苯二甲酸配位聚合物中的金属元素为过渡金属元素。该制备方法简单、易于操作。

四十四、金属硫化物纳米晶的制备方法

申请号：CN201010202005.4

专利类型：授权发明

发明人：李亚栋 | 彭卿 | 庄仲滨 | 鲁晓棠

摘要：本发明涉及金属硫化物纳米晶的制备方法，该金属硫化物纳米晶的制备方法包括以下步骤：提供预定量的金属无机盐粉末置入一容器中；提供过量硫醇加入至所述容器中，并搅拌均匀；加热该容器至100℃～300℃，使金属无机盐和硫醇反应5分钟至1时形成金属硫化物纳米晶；以及加入一极性溶剂，搅拌均匀后，离心分离得到金属硫化物纳米晶。

四十五、多频带天线

申请号：CN200710076042.3

专利类型：授权发明

发明人：陈文华 | 王昕 | 冯正和

摘要：本发明涉及一种多频带天线，其包括一长辐射分支，一短辐射分支，一短路条，一馈电点，一接地部及一连接部，该长辐射分支、短路条及该连接部组成一个倒F形结构以接收低频带信号，该短辐射分支、短路条及该连接部组成另一倒F形结构以接收高频带信号，该多频带天线进一步包括一长寄生条与一短寄生条，该长寄生条与该长辐射分支相配合以扩展该多频带天线接收低频带信号的带宽，该短寄生条与该短辐射分支相配合以扩展该多频带天线接收高频带信号的带宽。

四十六、半导体封装件

申请号：CN200710125663.6

专利类型：授权发明

发明人：陈文华 | 冯正和 | 庄品洋

摘要：一种半导体封装件，其包括：一基板，且该基板的第一表面设置有多个导电迹线；至少一半导体预封装件设置于该基板上，该半导体预封装件与所述多个导电迹线设置于该基板上的同一表面，且与该多个导电迹线电连接；至少一电磁屏蔽层设置于所述至少一半导体预封装件上；一保护层覆盖于该至少一电磁屏蔽层上，其中，所述的电磁屏蔽层包括一碳纳米管薄膜结构。

四十七、滤波器

申请号：CN200810066049.1

专利类型：授权发明

发明人：陈文华 | 冯正和 | 庄品洋

摘要：一种腔体滤波器，其包括：一屏蔽盒；至少一隔离墙设置于该屏蔽盒内，且该隔离墙上开有一槽孔位于隔离墙顶部；至少两个谐振腔按照预定的顺序设置于该屏蔽盒内，相邻的谐振腔之间通过一隔离墙隔离，每个谐振腔内设置一个谐振子，该谐振子一端固定于屏蔽盒内壁上，另一端延伸至谐振腔内；以及一输入装置和一输出装置，该输入装置和输出装置分别设置于第一级谐振腔与最后一级谐振腔内，且该输入装置和输出装置的一端与屏蔽盒内壁电连接，另一端延伸至谐振腔内；其中，所述谐振子包括一支撑体以及一碳纳米管结构设置于该支撑体表面。

四十八、镁基复合材料的制备方法及制备装置

申请号：CN200710076771.9

专利类型：授权发明

发明人：陈锦修 | 陈正士 | 张丽清 | 李文珍

摘要：本发明涉及一种镁基复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供大量的镁颗粒和大量的碳纳米管；在保护气体保护下，加热上述镁颗粒与碳纳米管混合后得到的混合体，形成一半固态浆料；对上述的半固态浆料施加电磁搅拌，以使碳纳米管在半固态浆料中均匀分散；将上述均匀分散有碳纳米管的半固态浆料注射进一压铸模具中，冷却后，得到一镁基复合材料。本发明还涉及一种镁基复合材料的制备装置，包括一定量输送装置、一触变成形机、一电磁搅拌器和一注射成形机。本发明所提供的镁基复合材料的制备方法，可使镁颗粒和碳纳米管混合均匀，从而获得抗拉强度高和韧性好的镁基复合材料，可广泛地应用于3C产品、汽车零部件、航天航空零部件等方面。

四十九、镁基复合材料及其制备方法

申请号：CN200710076758.3

专利类型：授权发明

发明人：陈锦修 | 陈正士 | 许光良 | 王杰 | 李文珍 | 姜开利

摘要：一种镁基复合材料由镁基金属与分布于该镁基金属中的纳米级增强体组成，所述镁基复合材料为多层结构，该多层结构由至少两层镁基金属层与至少一层镁基复合层交替排布，并且镁基复合层位于镁基金属层之间。一种镁基复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供第一镁基板、第二镁基板和多个纳米级增强体；将所述多个纳米级增强体均匀固定于该第一镁基板表面；将第二镁基板覆盖于该纳米级增强体上，以形成一预制体；以及将预制体热压，形成镁基复合材料。采用本发明方法制备的镁基复合材料具有更高的强度和韧性，并且工艺简单、易操作，可广泛地应用于镁基复合材料方面。

五十、镁基复合材料的制备方法及制备装置

申请号：CN200710077113.1

专利类型：授权发明

发明人：陈锦修 | 陈正士 | 杜青春 | 李文珍

摘要：本发明涉及一种镁基复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供大量镁基金属粉体和大量纳米级增强体；将镁基金属粉体与纳米级增强体混合；以及将混合后的粉体高速压制，形成镁基复合材料。本发明还涉及一种制备镁基复合材料的高速压制装置，包括一压制锤头、一模具及一通气设备，所述压制锤头位于模具正上方，所述的高速压制装置进一步包括一密封腔体，通气设备位于密封腔体外部，并与密封腔体连接，压制锤头与模具位于密封腔体中。采用本发明提供的制备装置及方法，提高了所制备工件的致密性，简化了镁基复合材料粉末冶金法的生产步骤，可广泛地应用于3C产品、汽车零部件、航天航空零部件等方面。

五十一、镁基复合材料及其制备方法

申请号：CN200710077343.8

专利类型：授权发明

发明人：陈锦修 | 陈正士 | 许光良 | 杜青春 | 李文珍 | 姜开利

摘要：本发明涉及一种镁基复合材料，包括镁基金属，其中，该镁基复合材料进一步包括至少一纳米级增强体薄膜设置于上述镁基金属中。本发明还涉及一种镁基复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供至少二镁基板和至少一纳米级增强体薄膜；将该纳米级增强体薄膜设置于二镁基板之间，形成一预制体；以及热轧该预制体，形成镁基复合材料。采用本发明方法制备的镁基复合材料具有更高的强度和韧性，并且工艺简单、易操作，可广泛地应用于镁基复合材料方面。

五十二、轻金属基纳米复合材料的制造方法

申请号：CN200810216307.X

专利类型：授权发明

发明人：李鼐一 | 附田之欣 | 钟国荣 | 陈锦修 | 陈正士 | 杜青春 | 李文珍

摘要：一种轻金属基纳米复合材料的制造方法，其包括以下步骤：提供一轻金属熔汤和大量纳米级材料；将轻金属熔汤和纳米级材料混合，通过超声震荡搅拌得到一均匀混合浆料；将上述均匀混合浆料注入模具中，得到轻金属基纳米复合材料。

五十三、镁基复合材料的制备方法

申请号：CN200910239051.9

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 刘世英

摘要：本发明提供一种铝基复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一半固态的铝基金属；搅拌上述半固态铝基金属，并加入纳米颗粒，得到半固态混合浆料；将上述半固态混合浆料升温至液态得到液态的混合浆料；高能超声处理该液态的混合浆料；冷却该液态的混合浆料，得到一铝基复合材料。

五十四、镁基复合材料的制备方法

申请号：CN200910189486.7

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 刘世英

摘要：本发明提供一种镁基复合材料的制备方法，其包括以下步骤：在保护气体环境下，提供一半固态的镁基金属；搅拌上述半固态镁基金属，加入纳米增强相颗粒，得到半固态混合浆料；将上述半固态混合浆料升温至液态得到液态的混合浆料；高能超声处理该液态的混合浆料；冷却该液态的混合浆料，得到一镁基复合材料。

五十五、壳体及应用该壳体的发声装置

申请号：CN201010201342.1

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 陈皇妙

摘要：一种用于发声装置的壳体，该壳体的材料为镁基复合材料，该镁基复合材料包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相。本发明还涉及一种发声装置，其包括：壳体；以及扬声器，该扬声器设置于该壳体内部；该壳体的材料为镁基复合材料，该镁基复合材料包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相。

五十六、镁基复合材料及其制备方法，以及其在发声装置中的应用

申请号：CN201010200801.4

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 陈皇妙

摘要：本发明涉及一种镁基复合材料，包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相，所述纳米增强相在镁基复合材料中的质量百分含量为0.01％至2％。一种镁基复合材料用于制造发声装置的壳体，所述镁基复合材料包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相。本发明还涉及一种镁基复合材料的制备方法。

五十七、耳机

申请号：CN201010200902.1

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 陈皇妙

摘要：本发明涉及一种耳机，其包括：壳体；以及扬声器，该扬声器设置于该壳体内部；该壳体的材料为镁基复合材料，该镁基复合材料包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相，该耳机比相同形状的采用AZ91D镁合金制成的壳体的耳机，在20赫兹至50赫兹频率范围内总谐波失真减少10%。

五十八、耳机

申请号：CN201010200768.5

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 陈皇妙

摘要：本发明涉及一种耳机，其包括：壳体；以及扬声器，该扬声器设置于该壳体内部；该壳体的材料为镁基复合材料，该镁基复合材料包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相，该镁基复合材料的晶粒为100微米至150微米，所述纳米增强相在镁基复合材料中的质量百分含量为0.01%至2%。

五十九、发声装置

申请号：CN201010200903.6

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 陈皇妙

摘要：本发明涉及一种发声装置，其包括：壳体；以及扬声器，该扬声器设置于该壳体内部；该壳体的材料为镁基复合材料，该镁基复合材料包括镁基金属和分散在该镁基金属中的纳米增强相，该纳米增强相在镁基复合材料中的质量百分含量为0.5％至2％。

六十、镁基-碳纳米管复合材料的制造设备及其制造方法

申请号：CN200710076768.7

专利类型：授权发明

发明人：陈锦修 | 陈正士 | 许光良 | 杜青春 | 李文珍

摘要：本发明涉及一种镁基-碳纳米管复合材料的制造设备，该制造设备包括一触变成形机、一压铸模具及一进料装置。本发明还涉及一种使用该制造设备制备镁基-碳纳米管复合材料的方法，其包括以下步骤：提供大量的镁颗粒和大量的碳纳米管；用一吸气装置将上述的镁颗粒和碳纳米管吸入触变成形机中，形成一镁颗粒和碳纳米管的混合体；加热上述混合体，形成一触变态的浆料；将上述浆料喷入一压铸模具中，冷却后，形成镁基-碳纳米管复合材料。使用本发明所述的制造设备所制备的镁基-碳纳米管复合材料，由于其中的碳纳米管分散均匀，从而具有强度高和韧性好等优点，可广泛地应用于3C产品、汽车零部件、航天航空零部件等方面。

六十一、镁基-碳纳米管复合材料的制造方法

申请号：CN200710124548.7

专利类型：授权发明

发明人：陈锦修 | 陈正士 | 许光良 | 杜青春 | 李文珍

摘要：一种镁基-碳纳米管复合材料的制造方法，其包括以下步骤：提供镁熔体和大量的碳纳米管，将镁熔体和碳纳米管混合得到一混合浆料；将上述混合浆料注入模具中，得到一预制体；以及，将上述预制体进行挤压成型处理，制得镁合金-碳纳米管复合材料。

六十二、微位移传感器

申请号：CN200610157991.X

专利类型：授权发明

发明人：许振丰 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种微位移传感器，包括第一光子晶体模块、第二光子晶体模块、激光源和探测器。第一光子晶体模块包括固定设置的第一基底和呈矩阵方式垂直排列在第一基底上的第一晶柱。第一晶柱矩阵内通过第一晶柱的缺失形成第一导光通道，该第一导光通道包括第一水平通道和分别设置有入光口和出光口且分别与第一水平通道两末端连通的两个第一垂直通道。激光源设置在入光口处。第二光子晶体模块包括可移动的第二基底和呈矩阵方式垂直排列在第二基底上的第二晶柱。第二晶柱矩阵内通过第二晶柱的缺失形成第二导光通道，该第二导光通道包括与第一水平通道平行且相互耦合的第二水平通道和形成探测口的第二垂直通道。探测器设置在探测口处并与其相对固定。

六十三、微位移的测量方法

申请号：CN200610157990.5

专利类型：授权发明

发明人：许振丰 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种微位移的测量方法，包括：提供一微位移传感器，包括具有若干第一晶柱的第一光子晶体模块、具有若干第二晶柱的第二光子晶体模块、激光源和探测器，第一晶柱内设有形成入光口和出光口的第一导光通道，第二晶柱内设有形成探测口的第二导光通道，激光源设置在入光口，探测器设置在探测口；将第二光子晶体模块固定在待测器件上，第一导光通道与第二导光通道相耦合；以及，当待测器件带动第二光子晶体模块移动时，激光源发出的光经由入光口进入第一导光通道，一部分光经由出光口出射，另一部分光耦合进入第二光子晶体模块的第二导光通道并经由探测口被探测器探测，通过读取探测器获得的光强与位移的正弦曲线，即可得到待测器件的水平位移。

六十四、气体折射率传感器

申请号：CN200710124285.X

专利类型：授权发明

发明人：王晓玲 | 金国藩 | 朱钧

摘要：一种气体折射率传感器，包括一光子晶体模块、光源和探测器，光源与探测器分别设置于光子晶体模块的两端，该光子晶体模块包括一基体，该基体包括第一平面及与第一平面相对的第二平面，该基体上有垂直贯穿于第一平面和第二平面大量的气孔，该气孔构成一三角型光子晶体模块，其中位于该基体中心位置的气孔的直径小于其它气孔的直径形成一谐振腔，其中，该谐振腔相对的两侧为由未设置气孔的基体构成的线缺陷，该线缺陷分别为第一波导与第二波导，该第一波导与第二波导分别与该谐振腔之间相隔数个孔。

六十五、折射率传感器

申请号：CN200710125108.3

专利类型：授权发明

发明人：王晓玲 | 金国藩 | 许振丰 | 朱钧

摘要：本发明涉及一种折射率传感器。所述折射率传感器包括光源、光子晶体微腔结构及感测器，所述光子晶体微腔结构包括晶体层及大量形成于该晶体层并规则排列的孔，其中一个孔的直径与其他孔的直径不同从而构成一谐振腔，该谐振腔相对的两侧的晶体层具有线缺陷，该线缺陷分别构成第一波导与第二波导，该第一波导及第二波导与该谐振腔之间分别具有数个孔，所述光源设置于该第一波导之入射端，所述感测器设置于该第二波导之出射端。所述的传感器中，第一波导及第二波导的设置使得光线的透过率可以提升到40％到70％，而且传感器具有较高的测量精度。

六十六、导光板与背光模组

申请号：CN200510035405.X

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种导光板，旨在解决现有技术的导光板的光能利用率较低的问题。该导光板包括入光面、垂直于该入光面的出光面和相对于该出光面的底面，其中，该导光板为应力双折射导光板，其主应力之一的方向和入光面的夹角大于0度小于90度。该导光板的出光面上可以进一步设置有亚波长光栅结构。本发明还涉及一种采用该导光板的背光模组。

六十七、导光板与背光模组

申请号：CN200510036118.0

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种导光板，旨在解决现有技术的导光板的光能利用率较低的问题。该导光板为应力或应变双折射导光板，其内具有分别沿着两个相垂直的方向的两个主应力或主应变，该主应力或主应变之一的方向和导光板入光面的夹角大于0度小于90度，该两个主应力或主应变的主应力差或主应变差对导光板内的多个波长光产生近似相同的相位延迟，且该相位延迟接近半波片的性能。本发明还涉及一种采用该导光板的背光模组。

六十八、导光板与背光模组

申请号：CN200510036117.6

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种导光板，旨在解决现有技术的导光板的光能利用率较低的问题。该导光板包括导光基体，该导光基体的出光面上设有亚波长光栅结构，该导光基体内具有分别沿着两个相垂直的方向的两个主应力或主应变，该主应力或主应变之一的方向和导光基体的入光面的夹角大于0度小于90度，该两个主应力或主应变的主应力差或主应变差对导光基体内的多个波长光产生近似相同的相位延迟，且该相位延迟接近半波片的性能。本发明还涉及一种采用该导光板的背光模组。

六十九、导光板及使用该导光板的背光模块

申请号：CN200610032817.2

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种导光板及使用该导光板的背光模块。该背光模块包括光源及导光板，该导光板包括入光面，与该入光面相交的出光面及一与该出光面相对的底面。其中，该入光面上至少设置有两种V形凹槽，该两种V形凹槽相平行或相交叉排布，相平行的两种V形凹槽分别具有两个倾斜面，该相平行的两种V形凹槽两个倾斜面之间的夹角范围分别为60度至100度，100度至140度；相交叉的两种V形凹槽分别具有两个倾斜面，该相交叉的两种V形凹槽两个倾斜面之间的夹角范围分别为30度至70度，60度至120度，光源相对该入光面设置。因此，该背光模块可消除光柱及光学暗区且出光亮度及出光均匀性较高。

七十、导光板及背光模组

申请号：CN200610060741.4

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：一种导光板，其包括：一入光面；一与该入光面相连的出光面；及一与该出光面相对的反光面；其中该导光板入光面上设置有至少一个突出的光扩散部，该光扩散部在导光板反光面一侧形成有一反射孔。本发明还提供一种背光模组，其包括：一导光板，其包括一入光面，一与该入光面相连的出光面，和一与该出光面相对的反光面；至少一个光源，其包括一发光面，该光源设置于导光板的入光面一侧，且该光源的发光面正对导光板的入光面，其中，该导光板入光面上对应光源设置有至少一突出的光扩散部，该光扩散部在导光板反光面一侧形成有一反射孔。

七十一、背光模组

申请号：CN200610157135.4

专利类型：授权发明

发明人：杨波 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种背光模组，其包括至少一个光源及一个导光板，该导光板包括一入光面，一与该入光面相邻的出光面，及一与出光面相对的反射面，该反射面设置多个微结构，该光源包括一发光面正对导光板的入光面。该多个微结构分别设置于以发光面上的多个点为圆心的多组同心圆弧上。该背光模组可应用于液晶显示装置。

七十二、背光模组

申请号：CN200710075618.4

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种背光模组，其包括一光源、导光板及反射器。所述导光板包括入光面、与该入光面相对的出光面以及连接所述入光面和出光面的侧面，所述导光板的出光面具有一凹槽结构。所述反射器设置于光源与导光板的入光面之间，且该反射器与导光板的出光面的凹槽结构相对应设置。所述反射器包括一光接受面，所述光源与该反射器的光接收面相对设置，该反射器与导光板出光面的凹槽结构相对应设置。

七十三、混光器

申请号：CN200710075669.7

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 张鹤 | 金国藩

摘要：一种混光器，包括至少两个聚光反射装置和至少两个光源，其中，所述至少两个聚光反射装置分别具有第一焦点和第二焦点，所述至少两个聚光反射装置之间共第一焦点设置，所述至少两个光源分别对应设置于至少两个聚光反射装置的第二焦点上，上述混光器还进一步包括一公共出光面，该公共出光面经过第一焦点。本发明所提供的混光器能产生能量高、色饱和度高、颜色可调整且混合均匀的光。

七十四、背光模组

申请号：CN200710075633.9

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 张鹤 | 金国藩

摘要：一种背光模组，其包括至少一光源及一导光板，该导光板包括一底面、与该底面相对的出光面以及连接所述底面和出光面的侧面，所述导光板进一步包括至少一反射部，所述反射部为设置于导光板的底面且凹入导光板内部的凹洞，所述光源收容于上述凹洞内，所述反射部包括一反光面和一入光面，反光面为上述凹洞的底面，入光面为上述凹洞的侧面，所述反光面为一圆锥面或类圆锥面，且该反光面相对于光源发出的光线是凹面。所述背光模组中，由于直接在导光板上形成一反射部，因此有利于减小背光模组的整体厚度和降低背光模组的损耗。此外，光源收容于导光板上的反射部内，从而可实现系统模组化要求。

七十五、混光器

申请号：CN200710124242.1

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 张鹤 | 金国藩

摘要：一种混光器，包括至少两个聚光反射装置和至少两个光源，所述至少两个聚光反射装置分别具有第一焦点和第二焦点，所述至少两个聚光反射装置之间共第一焦点设置，所述至少两个光源分别对应设置于至少两个聚光反射装置的第二焦点上，上述混光器还进一步包括一公共出光面和一场镜，该公共出光面经过第一焦点，该场镜设置于上述的公共出光面上，其中，所述聚光反射装置为一具有一长轴的椭球实体，上述第一焦点和第二焦点设置于该椭球实体的长轴上，该椭球实体还包括一挖空结构、一与挖空结构相对的出光面及连接挖空结构和出光面的外表面，上述挖空结构设置于该椭球实体第二焦点的一端，所述光源收容于上述挖空结构内。

七十六、背光模组

申请号：CN200710124245.5

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 张鹤 | 金国藩

摘要：一种背光模组，其包括一导光板及至少一个混光器，该导光板包括一底面、与该底面相对的出光面以及连接所述底面和出光面的侧面；该混光器包括至少两个光源。其中，所述导光板进一步包括至少一反射部，所述反射部为设置于导光板的底面且凹入导光板内部的凹洞；所述混光器与所述反射部对应设置。所述混光器还包括至少两个聚光反射装置；所述至少两个聚光反射装置分别具有第一焦点和第二焦点，所述至少两个聚光反射装置之间共第一焦点设置，所述至少两个光源分别对应设置于至少两个聚光反射装置的第二焦点上，上述混光器还包括一公共出光面，该公共出光面经过第一焦点且与反射部相对设置。

七十七、导光板以及使用该导光板的背光模组

申请号：CN200810218231.4

专利类型：授权发明

发明人：张鹤 | 朱钧 | 谭峭峰 | 金国藩

摘要：一种导光板，该导光板包括一入光面；一出光面，该出光面与该入光面相交；一底面，该底面与该出光面相对，该底面设置有多个网点；以及一侧面，该侧面与该出光面及该底面相交。所述多个网点的形状相同，在邻近该导光板入光面的底面，该网点呈圆弧状分布，该圆弧具有同一圆心且朝向该导光板的入光面，在远离该导光板入光面的底面，该网点呈行或列分布，该网点所在行或列平行于该导光板的侧面。另外，本发明还提供一使用该导光板的背光模组。

七十八、导光板以及使用该导光板的背光模组

申请号：CN200810218192.8

专利类型：授权发明

发明人：张鹤 | 朱钧 | 赵燕 | 金国藩

摘要：一种导光板，包括一底面，该底面设置有散射网点；一出光面，该出光面与该底面相对；以及一侧面，该侧面连接该底面与该出光面。该导光板的出光面设置有一反射部，该反射部设置于该导光板的出光面与底面中心相对应的位置，且凹入该导光板内部。该散射网点分布于以该导光板底面的中心为圆心的多个圆环，且各个圆环的散射网点均匀分布，每个圆环的散射网点数量满足以下关系式：e＝|4[a1×(r-a2)×(r-a3)]|，其中，e为散射网点的数量；r为圆环的半径，且r≥4毫米；a1、a2和a3为常数，且0.05≤a1≤0.1，a2≥6，a3≤12。另外，本发明还提供一使用该导光板的背光模组。

七十九、导光板以及背光模组

申请号：CN200910161479.6

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 张鹤 | 赵燕 | 金国藩

摘要：一种导光板，其包括：一底面，一与该底面相对的出光面以及连接所述底面和所述出光面的侧面，所述底面具有一中心，所述底面设置有多个散射网点，其中，所述多个散射网点围绕该底面中心呈多个环形分布，且邻近导光板边缘的散射网点的分布与导光板的形状相匹配。本发明进一步涉及一种采用上述导光板的背光模组。

八十、导光板的设计及制造方法

申请号：CN200810216087.0

专利类型：授权发明

发明人：赵燕 | 朱钧 | 张鹤 | 金国藩

摘要：一导光板设计方法包括：提供一导光板，该导光板包括一入光面及与入光面相对的出光面；获得该导光板出光面的光照度分布；通过及|E(rn)-E0|＝nΔE确定导光板入光面及出光面的环形区域，其中，E为导光板出光面的光照度，且E＝E(ρ，θ)，ρ，θ分别为以导光板入光面或出光面的中心为原点的极坐标系的极径和极角，a为预定的环数，a与n为正整数，且1≤n≤a，rn为导光板入光面或出光面的环形区域的第n个圆环的半径，Emax以及Emin分别为出光面光照度的最大值及最小值，E(rn)为导光板出光面ρ＝rn时的光照度值，E0为导光板出光面中心的光照度；以及获得导光板入光面各环形区域网点数量，采用正态分布随机函数在入光面各环形区域内多次随机分布所述网点，获得具有高光照度均匀性的网点分布。本发明还提供导光板的制造方法。

八十一、背光模组及液晶显示器

申请号：CN200910109713.0

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 赵燕 | 张鹤 | 金国藩

摘要：本发明公开一种背光模组，其包括导光板及光源，该导光板包括至少两个模块，所述光源分成至少两组分别对应所述导光板的至少两个模块设置，每组光源分别受单独控制，每组光源射出的光线经由该导光板的与该组光源对应的模块形成平面光射出，并且所述至少两个模块之间无光线混合。本发明进一步公开一种采用上述背光源的液晶显示器。

八十二、导光板及背光模组

申请号：CN200910110522.6

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 赵燕 | 张鹤 | 金国藩

摘要：一种导光板，其包括：一底面，一与该底面相对的出光面以及连接所述底面和所述出光面的侧面，所述出光面包括至少一凹面，该至少一凹面包括光线入射角度大于导光板全反射临界角的第一区域与光线入射角度小于导光板全反射临界角的第二区域，该第二区域设置有反射结构。本发明进一步涉及一种采用上述导光板的背光模组。

八十三、导光板和背光模组

申请号：CN200410051871.2

专利类型：授权发明

发明人：冯迪 | 杨兴朋 | 金国藩 | 谭峭峰 | 严瑛白 | 范守善

摘要：本发明涉及一种应用于液晶显示领域的的导光板和背光模组。本发明提供的导光板，包括一入射面、一出射面和一设有若干微结构的反射面，该入射面形成有至少一个衍射结构。其采用直接在导光板的入射面制作衍射光学结构，使得整个装置结构紧凑，光束的耦合效率高，从而解决现有的导光板光能利用率低且结构分散的问题。本发明还提供有使用该导光板的背光模组。

八十四、导光板

申请号：CN200410051215.2

专利类型：授权发明

发明人：冯迪 | 严瑛白 | 杨兴朋 | 刘海涛 | 金国藩 | 范守善

摘要：本发明涉及一种导光板，该导光板具有一入射面、一反射面及一出射面，该出射面表面具有规则排列的第一V型结构，其特征在于该反射面具有多个与该出射面第一V型结构方向垂直的第二V型结构，该反射面多个第二V型结构具有相同的形状，且距离入射面越远，V型结构排列密度越密，尺寸越大。本发明的导光板与侧光源结合可代替整个背光模组，其可以灵活实现对出射光束角度的控制并且具有高亮度均匀性和低能耗的优点。

八十五、导光板和背光模组

申请号：CN200410083029.7

专利类型：授权发明

发明人：冯迪 | 杨兴朋 | 金国藩 | 刘海涛 | 严瑛白 | 范守善

摘要：本发明涉及一种应用于液晶显示领域的的导光板和背光模组。为解决现有的导光板需加设光学膜片才能使背光模组的出射光垂直出射的技术问题，本发明的导光板包括一入射面、一出射面和一设有增反膜的反射面，其中，该反射面形成有若干朝该导光板外部凸出且角度一致的V型微结构，其顶角为40-95度，其与反射面所在平面所形成的第一和第二底角分别为70-90度以及15-50度。可使得至少部分由光源发出的光线经入射面进入该导光板内，经该反射面反射后沿垂直于出射面的方向出射。因此，该导光板与光源结合可实现传统背光模组的功能，能简化系统，提高性能。本发明还提供有使用该导光板的背光模组。

八十六、导光板和背光模组

申请号：CN200410052264.8

专利类型：授权发明

发明人：冯迪 | 严瑛白 | 金国藩 | 范守善

摘要：本发明涉及一种应用于液晶显示领域的的大尺寸导光板和背光模组。该导光板包括一入射面、一出射面和一反射面，其中，该反射面形成有若干朝该导光板外部凸出的V型微结构，相邻靠近入射面的V型微结构的底角位置之间的距离相等，且该V型微结构的分布函数如下：y＝9.2637×10-6x2-0.0003x+0.0232，其中，x是该V型微结构靠近入射面的底角位置与入射面之间的距离，y是V型微结构宽度值，其单位为微米。可使得至少部分由光源发出的光线经入射面进入该大尺寸导光板内，经该反射面反射后沿垂直于出射面的方向出射，因此，该大尺寸导光板与光源结合可实现传统背光模组的功能，而且具有高亮度，出射光均匀性好的优点。本发明还提供有使用该导光板的背光模组。

八十七、导光板和背光模组

申请号：CN200410052363.6

专利类型：授权发明

发明人：冯迪 | 严瑛白 | 金国藩 | 范守善

摘要：本发明涉及一种应用于液晶显示领域的导光板和背光模组。本发明的导光板，包括：两入射面，其为该导光板的相对两面；一出射面，其为该导光板上表面并与该两入射面相邻；及一与该出射面相对的反射面，该反射面形成有若干微结构，该若干微结构以导光板两入射面之间的中心为对称轴，其尺寸和排列密度从该中心向两入射面方向对称地逐渐变小。可使得至少部分由光源发出的光线经入射面进入该导光板内，经该反射面反射后沿垂直于出射面的方向出射，因此，该导光板与光源结合可实现传统背光模组的功能，而且具有高亮度，出射光均匀性好的优点。本发明还提供有使用该导光板的背光模组。

八十八、导光板和背光模组

申请号：CN200410091952.5

专利类型：授权发明

发明人：冯迪 | 严瑛白 | 金国藩 | 范守善

摘要：本发明涉及一种应用于液晶显示领域的导光板和背光模组。该导光板具有一切角，该导光板包括：一入射面，其为该切角的侧面；一出射面，其为该导光板的上表面并与该入射面相邻；和一与该出射面相对的反射面，该反射面形成若干朝该导光板外部凸出的呈圆弧状分布的V型微结构，该V型微结构具有同一圆心且朝向该入射面，该V型微结构的截面具有相同的形状，且距离入射面越远，其排列密度越密，尺寸越大。本发明的导光板与光源结合可实现传统背光模组的功能，而且具有高亮度，出射光均匀性好的优点。本发明还提供有使用该导光板的背光模组。

八十九、背光系统及其反光罩

申请号：CN200510037129.0

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种背光系统及其反光罩，旨在解决现有技术背光系统的出光亮度的均匀性较低的问题。本发明的背光系统包括多个光源、一反光罩和一导光板，该导光板包括入光面、连接于该入光面的出光面和相对于该出光面的底面，该光源相对该入光面设置，该反光罩具有多个反射单元，该多个反射单元分别收容该多个光源，各反射单元具有两个相对设置的反射面，该两个反射面与该入光面相对且该两个反射面的截面形状在一极坐标中由一特定方程限定，从而可以实现对导光板入光面的均匀照明，提高该背光系统的出光亮度的均匀性。

九十、背光模组

申请号：CN200510035365.9

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：一种背光模组，其包括：一导光板，其包括一入射面，一与该入射面相连的出射面，和一与该出射面相对应的反射面；一光源，其包括一发光面，该光源设置于导光板的入射面一侧，且该光源的发光面正对导光板的入射面，其中，进一步包括一反光罩和一微反光镜阵列，该反光罩设置于该光源两侧并正对该入射面，且与导光板间隔一定距离，该微反光镜阵列包括具有多个微小间隔的反光镜设置于正对光源发光面的入射面上，从该光源发出的光有一部分会直接透过微反光镜阵列耦合入导光板，还有部分将先后被微反光镜阵列和反光罩反射，然后在远离光源的地方耦合入导光板。

九十一、背光模组

申请号：CN200510035276.4

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：一种背光模组，其包括：一导光板，其包括一入射面，一与该入射面相连的出射面，和一与该出射面相对应的反射面；一光源，其包括一发光面，该光源设置于导光板的入射面一侧，且该光源的发光面正对导光板的入射面，其中，进一步包括一反光镜和一半透半反膜，该反光镜设置于该光源两侧并对应该入射面，该半透半反膜设置于正对光源发光面的入射面上，用于反射从该光源发光面发射的光束，使其均匀射入该导光板入射面。

九十二、背光模组

申请号：CN200510034654.7

专利类型：授权发明

发明人：杨兴朋 | 严瑛白 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种背光模组，其包括：一导光板，其包括一入射面，一与该入射面相连的出射面，一与该出射面相对应的反射面，和与该入射面相连的两侧面；一设置于该导光板入射面与两侧面相交顶角附近的光源，其包括一发光面，该发光面与该入射面形成一夹角；至少一设置于该光源附近并覆盖该入射面的反光罩，用于反射从该光源发光面发射的光束，使其均匀射入该导光板入射面。本发明的背光模组具有提高发光均匀性和光能量利用率的优点。

九十三、自由曲面反射器设计系统及方法

申请号：CN200610034546.4

专利类型：授权发明

发明人：杨波 | 严瑛白 | 杨兴朋 | 金国藩

摘要：一种自由曲面反射器设计系统及方法，该系统包括用户输入接口、自由曲面反射器设计单元以及自由曲面反射器输出单元。该自由曲面反射器设计单元包括：自由曲面描述模块，用于根据接收的相关数据产生一种用于描述自由曲面反射器面型的非均匀有理B样条描述算法；评价函数建立模块，用于建立一个估算期望照度分布与当前照度值之间差异的评价函数；种群差异演化算法产生模块，用于产生一种用于找出最优化自由曲面反射器面型的种群差异演化算法；自由曲面反射器模型建立模块，用于根据非均匀有理B样条描述算法、评价函数和种群差异演化算法建立一个自由曲面反射器模型。利用本发明，用户只需要输入少量数据，即可自动生成具有复杂配光要求的自由曲面反射器面型。

九十四、摄影镜头系统

申请号：CN200410027254.9

专利类型：授权发明

发明人：王卓 | 王民强 | 严瑛白 | 金国藩 | 曾吉勇

摘要：本发明提供一种摄像镜头系统，其从物侧到成像面依次包括光栏，一双面皆凸的第一透镜和一呈弯月型且凹面弯向物侧的第二透镜，该第一和第二透镜都至少有一面为非球面，且满足条件式(1)1＜T/f＜1.62和(2)0.5＜f1/f＜0.9，其中T：光栏到像面的距离；f：整个摄像镜头的焦距；f1：第一透镜的焦距。

九十五、微型摄像镜头系统

申请号：CN200410027754.2

专利类型：授权发明

发明人：王卓 | 金国藩 | 王民强 | 曾吉勇 | 严瑛白

摘要：本发明提供一种微型摄像镜头系统，其从物侧到成像面依次包括光阑，一双面皆凸的第一透镜和一呈弯月型且凹面弯向物侧的第二透镜，该第一和第二透镜都至少有一面为非球面，且至少一枚透镜采用玻璃制成，该系统还满足条件式(1)1＜T/f≤1.60，其中T表示光阑到像面的距离；f表示整个摄像镜头的焦距。优选的，该系统还满足条件式(2)d/R2＞1.6，其中R2表示第一透镜靠近成像面的表面曲率半径的绝对值；d表示第一透镜的厚度。该微型摄像镜头系统通过将其中一枚透镜采用玻璃制成，并且控制主光线出射角在一定范围内，可在兼顾低成本量产的同时提高广角下的成像质量，可应用在百万像素以上的高端产品中。

九十六、微型摄像镜头系统

申请号：CN200410051187.4

专利类型：授权发明

发明人：王卓 | 金国藩 | 严瑛白 | 王民强 | 曾吉勇

摘要：本发明提供一种微型摄像镜头系统，其从物侧到成像面依次包括光阑，一双面皆凸的第一透镜和一呈弯月型且凹面弯向物侧的第二透镜，该第一和第二透镜都至少有一面为非球面，且由同一种塑料制成，该系统还满足条件式(1)1＜T/f＜1.7，其中T表示光阑到像面的距离；f表示整个摄像镜头的焦距。优选的，该系统还满足条件式(2)1.2＜d/R2＜2.1，其中R2表示第一透镜靠近成像面的表面曲率半径的绝对值；d表示第一透镜的厚度。该微型摄像镜头系统中两枚透镜均采用塑料制成，并且控制主光线出射角在一定范围内，可简化工艺，降低成本。

九十七、微型摄像镜头系统

申请号：CN200410051296.6

专利类型：授权发明

发明人：曾吉勇 | 严瑛白 | 金国藩 | 王卓 | 王民强

摘要：本发明提供一种微型摄像镜头系统，其从物侧到成像面依次包括光阑，一第一透镜和一呈弯月型且凹面弯向物侧的第二透镜。该第一透镜光焦度为正，其朝向成像面的面为具有衍射光栅结构的凸面，朝向物侧的面为非球面；该第二透镜至少有一面为非球面；且两片透镜均采用同一种光学塑料制成，该系统还满足条件式(1)1.4＜T/f＜1.7，其中T表示光阑到成像面的距离；f表示整个摄像镜头的焦距。该微型摄像镜头系统采用折衍混合双片型透镜，并且控制主光线出射角在一定范围内，可实现进一步小型化，可在兼顾低成本量产的同时提高广角下的成像质量。

九十八、微型摄像镜头系统

申请号：CN200410051451.4

专利类型：授权发明

发明人：曾吉勇 | 严瑛白 | 金国藩 | 王民强 | 王卓

摘要：本发明提供一种微型摄像镜头系统，其从物侧到成像面依次包括光阑，朝向物侧为凹面，朝向成像面为凸面的弯月型厚透镜，该弯月型厚透镜朝向物侧的面为非球面，朝向成像面的凸面具有衍射光栅结构，该系统还满足条件式(1)0.1＜R2/R1＜0.5，其中R1表示弯月型厚透镜靠近物侧的表面顶点的曲率半径；R2表示弯月型厚透镜靠近像面的表面顶点的曲率半径。该微型摄像镜头系统采用折衍混合单片型透镜，可在兼顾低成本量产的同时提高成像质量。

九十九、微型摄像镜头系统

申请号：CN200410052033.7

专利类型：授权发明

发明人：曾吉勇 | 金国藩 | 严瑛白 | 王卓 | 王民强

摘要：本发明提供一种微型摄像镜头系统，其从物侧到成像面依次包括光栏，一双面皆凸的第一透镜、一具有一凹面弯向物侧的第二透镜和一具有一凹面弯向成像面的第三透镜；所述第一透镜、第二透镜和第三透镜均为塑料制成，且其中一片透镜有一个面为具有衍射光栅结构的衍射面。该微型摄像镜头系统采用折衍混合三片型镜头，可实现进一步小型化，且可在兼顾低成本量产的同时提高较大视场角下的成像质量。

一百、变焦镜头系统

申请号：CN200510037127.1

专利类型：授权发明

发明人：曾吉勇 | 金国藩 | 严瑛白 | 王民强

摘要：本发明提供一种变焦镜头系统，其从物侧到成像面依次包括具有负光焦度的第一透镜组及具有正光焦度的第二透镜组；所述第一透镜组从物侧到成像面依次包括具有负光焦度的凹面弯向成像面的弯月型第一透镜及具有正光焦度的第二透镜；所述第二透镜组从物侧到成像面依次包括光阑、具有正光焦度的双凸第三透镜及具有负光焦度的凹面弯向物侧的弯月型第四透镜。

一百零一、非对称傅里叶变换光学系统及体全息存储光学系统

申请号：CN200510034649.6

专利类型：授权发明

发明人：曾吉勇 | 金国藩 | 王民强 | 严瑛白

摘要：本发明涉及一种非对称傅里叶变换光学系统，其从物面到频谱面，包括一具有负光焦度的第一透镜组及一具有正光焦度的第二透镜组，其中，该第一透镜组由二个凹面相对的一第一弯月型负透镜及一第二弯月型负透镜组成，该第一弯月型负透镜的凸面朝向物面，第二弯月型负透镜的凸面朝向频谱面；该第二透镜组由一个正透镜组成，其朝向物面的一透镜表面为凸面。该非对称傅里叶变换光学系统的结构较紧凑像质较佳，其正向光路及逆向光路均满足正弦条件且达到衍射受限要求。本发明还提供一采用上述非对称傅里叶变换光学系统的体全息存储光学系统。

一百零二、傅里叶变换光学系统及体全息存储傅里叶变换光学系统

申请号：CN200510034757.3

专利类型：授权发明

发明人：曾吉勇 | 金国藩 | 王民强 | 严瑛白

摘要：一种傅里叶变换光学系统，其从输入面到频谱面，依次包括一具有正光焦度的第一透镜组，一具有正光焦度的第二透镜组和一具有负光焦度的第三透镜组，其中，该第一透镜组包括凹面相对的一第一弯月型正透镜和一第一弯月型负透镜，该第一弯月型正透镜的凸面朝向输入面，该第一弯月型负透镜的凸面朝向频谱面；该第二透镜组包括至少一双凸透镜；该第三透镜组包括一第二弯月型正透镜和一双凹负透镜，该第二弯月型正透镜的凸面朝向输入面。本发明还提供采用上述傅里叶变换光学系统的体全息存储傅里叶变换光学系统，其包括一前组傅里叶变换光学系统和一后组逆傅里叶变换光学系统。

一百零三、发光二极管

申请号：CN200710074324.X

专利类型：授权发明

发明人：许振丰 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括一基底、反射层、有源层、透明电极、第一光子晶体结构以及第二光子晶体结构。所述反射层形成在基底上，所述有源层形成在反射层上，且所述透明电极形成在有源层上。所述透明电极包括一上表面及一下表面，该透明电极的下表面与有源层相结合。所述第一光子晶体结构设置于透明电极的上表面，且所述第二光子晶体结构形成于有源层中。

一百零四、发光二极管

申请号：CN201010148893.6

专利类型：授权发明

发明人：朱钧 | 季鹏 | 杨风雷 | 金国藩

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一导电层设置于第二半导体层远离基底的表面；一第二电极与所述导电层电连接；其中，一金属光栅设置于所述导电层的远离基底的表面，该金属光栅为多个金属微结构排列而成的二维阵列。

一百零五、超晶格纳米器件及其制作方法

申请号：JP2006117004

专利类型：授权发明

发明人：姚湲 | 褚卫国 | 范守善

摘要：提供了一种超晶格纳米器件及其制造方法。根据本发明的超晶格纳米器件包括至少一个结构单元。该结构单元包括基底、包括形成在基底上的一维纳米结构的第一电极、形成在基底上并围绕一维纳米结构的功能层、第一电极和电第二电极，所述第二电极绝缘并围绕所述纳米结构。功能层。通过在一维纳米结构的侧面堆叠许多薄膜，可以利用成熟的二维超晶格结构制造技术，降低制造难度。另外，气相-液-固相外延生长纳米线技术可以解决超晶格材料和金属催化剂需要形成合金或固溶体的问题，因此超晶格的种类很多，可以制造出多种纳米器件。

一百零六、Superlattice nano-device and method for making same

申请号：US11/408433

专利类型：授权发明

发明人：YAO, YUAN | CHU, WEI-GUO | FAN, SHOU-SHAN

摘要：A nanodevice (1) for a desired function includes a substrate (11), a one-dimensional nanostructure (12), a functional layer (20) having a desired function, a conductive thin film electrode (30), and an insulating layer (40). The one-dimensional nanostructure is operatively extends from the substrate. The functional layer surrounds at least a portion of the one-dimensional nanostructure. The conducting thin film electrode surrounds/encompasses the functional layer. The insulating layer is positioned between the substrate and the conductive thin film electrode, thereby electrically insulating the one from the other. Further, the nanodevice can incorporate one or more functional units 50, each unit including a one-dimensional nanostructure and a respective functional layer. The units may or may not share the same conductive thin film electrode and/or insulating layer.

一百零七、Method for fabricating carbon nanotube array sensor

申请号：US12/732123

专利类型：授权发明

发明人：YAO, YUAN

摘要：A method of fabricating a carbon nanotube array sensor includes the following steps. A carbon nanotube array, a first electrode and a second electrode are provided, the carbon nanotube array includes a plurality of carbon nanotubes. Each of the carbon nanotubes includes a first end and a second end opposite to the first end. A first metallophilic layer is formed on the first end of each of the carbon nanotubes. At least one first conductive metal layer is arranged between the first metallophilic layer and the first electrode to electrically connect each of the carbon nanotubes with the first electrode. A second metallophilic layer is formed on the second end of each of the carbon nanotubes. At least one second conductive metal layer is arranged between the second metallophilic layer and the second electrode to electrically connect each of the carbon nanotubes with the second electrode.

一百零八、一种耳机线及具有该耳机线的耳机

申请号：JP2010188262

专利类型：授权发明

发明人：刘亮 | 吴荣发

摘要：一种耳机，其包括一根耳机线，一个电性连接于所述耳机线一端的扬声器以及一个电性连接于所述耳机线另一端的插头。所述耳机线包括一个第一极线，一个第二极线，一个设置在所述第一极线与第二极线之间的绝缘层，一个包覆在所述第二极线外面的绝缘护层。所述第一极线和第二极线都分别包括至少一根导线。所述第一极线和第二极线中至少一极线还包括至少一根碳纳米管线。由于碳纳米管本身所具有的优异的机械性能，由该碳纳米管制备的碳纳米管线也具有强大的抗绕折度，因此具有该碳纳米管线的耳机线，其抗绕折度也会得到很大的提高，从而降低耳机的损坏率。

一百零九、Earphone cable and earphone using the same

申请号：US12/769990

专利类型：授权发明

发明人：LIU, LIANG | WU, JERRY

摘要：An earphone cable includes a first signal wire group, a second signal wire group, and a sheath layer. The first signal group includes at least one first conducting wire. The second signal wire group includes at least one second conducting wire, and the second signal wire group is insulated from the first signal wire group. At least one of the first signal wire group and the second signal wire group comprises at least one carbon nanotube wire. The sheath layer located about the first signal wire group and the second signal wire group.

一百一十、Method of synthesizing silicon wires

申请号：US12/589468

专利类型：授权发明

发明人：YAO, YUAN | XU, LI-GUO | FAN, SHOU-SHAN

摘要：A method of synthesizing silicon wires is provided. A substrate is provided. A copper catalyst particle layer is formed on a top surface of the substrate. The reactive device is heated at a temperature of above 450° C. in a flowing protective gas. A mixture of a protective gas and a silicon-based reactive gas is introduced at a temperature above 450° C. at a pressure below 700 Torr to form the silicon wires on the substrate.

一百一十一、Isotope-doped carbon nanotube

申请号：US11/904958

专利类型：授权发明

发明人：FAN, SHOU-SHAN | LIU, LIANG

摘要：An isotope-doped carbon nanotube (40) includes at least two kinds of carbon nanotube segments, each kind of carbon nanotube segment having a unique carbon isotope. The at least two kinds of carbon nanotube segments are arranged along a longitudinal direction of the carbon nanotube alternately or non-alternately. The carbon isotope is selected from the group consisting of a carbon-12 isotope, a carbon-13 isotope and a carbon-14 isotope. Three preferred methods employ different single isotope sources to form isotope-doped carbon nanotubes. In a chemical vapor deposition method, different isotope source gases are alternately or non-alternately introduced. In an arc discharge method, a power source is alternately or non-alternately switched between different isotope anodes. In a laser ablation method, a laser is alternately or non-alternately focused on different isotope targets.

一百一十二、铝基复合材料的制备方法

申请号：CN200910239051.9

专利类型：授权发明

发明人：李文珍 | 刘世英

摘要：本发明提供一种铝基复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一半固态的铝基金属；搅拌上述半固态铝基金属，并加入纳米颗粒，得到半固态混合浆料；将上述半固态混合浆料升温至液态得到液态的混合浆料；高能超声处理该液态的混合浆料；冷却该液态的混合浆料，得到一铝基复合材料。

欢迎大家关注以上专利，如有合作意向，请于2025年6月7日前联系：ottip@tsinghua.edu.cn(邮件中标明“专利展示”咨询合作）